Sw3.6-m12-1.2-Slajd6
Przetworniki magnetorezystancyjne
Wśród sensorów pola magnetycznego szczególnie interesująca jest grupa sensorów magnetorezystancyjnych (MRS ). Poniżej przedstawione zostaną dwie grupy sensorów MRS: AMR (ang. Anisotropic Magnetoresistance) i GMR (ang. Giant Magnetoresistance). AMR jest planarnym układem warstwy ferromagnetycznej zwymuszonym w procesie produkcji wstępnym ustawieniem wektora magnetyzacji. Sensor magnetorezystancyjny typu AMR jest elementem wykonanym zodpowiednio ukształtowanej, cienkiej warstwy ferromagnetycznej (TFF - ang. Thin Ferromagnetic Film). Warstwa, najczęściej stopu NiFe (ok. 80% Ni), ogrubości zprzedziału 10-300nm, tworzy strukturę jednodomenową. W takiej warstwie, wektor magnetyzacji leży wjej płaszczyźnie. Cechą TFF jest jednoosiowa anizotropia magnetyczna. Oznacza to, że istnieje położenie ominimalnej energii magnetycznej, które przyjmuje wektor magnetyzacji. Położenie to nazywa się osią łatwą akierunek do niej prostopadły - osią trudną. Anizotropia ta jest przyczyną zmiany rezystancji warstwy ferromagnetycznej w zewnętrznym polu magnetycznym.
We współczesnych sensorach AMR zamiast prostych ścieżek TFF stosowana jest specjalna konfiguracja nazwana „Barber Pole” . Wcześniej już zauważono, że najbardziej liniowe charakterystyki (przy przemagnesowywaniu wzdłuż osi trudnej) otrzymuje się gdy wektor prądu jest nachylony do osi łatwej pod kątem 45?. Konfiguracja „Barber Pole” polega na naniesieniu na cienkiej warstwie ferromagnetyka dodatkowych pasków (ścieżek), odpowiednio nachylonych, zmateriału dobrze przewodzącego prąd. Wprowadzenie warstwy dobrego przewodnika powoduje powstanie pola elektrycznego, które wymusza zmianę kierunku przepływu prądu przez TFF. Metoda ta wpływa między innymi na linearyzację charakterystyki. Maksymalna zmiana rezystancji nie przekracza 3% rezystancji średniej sensora AMR.
