PEE Moduł 14

Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Wykład 14. Podstawowe topologie połączeń elementów półprzewodnikowych: punkt pracy, stany pracy


Wprowadzenie

Mając do dyspozycji charakterystyki elementu nieliniowego można wykonać graficzną analizę obwodu zawierającego ten element. Przy połączeniu szeregowym przedstawionym na slajdzie suma napięć na elementach jest stała i równa się E.


E=IQR+UQ

Prąd IQ oraz napięcie UQ określają współrzędne punktu pracy elementu nieliniowego na jego charakterystyce prądowo-napięciowej.



'Konstrukcja graficzna umożliwiająca wyznaczenie punktu pracy na charakterystyce jest następująca: umownie dzielimy obwód na dwie części: liniową zawierającą elementy liniowe tzn. źródło napięcia E i rezystor R oraz nieliniową zawierającą tylko element nieliniowy

W układzie współrzędnych kartezjańskich I = f(U) rysujemy charakterystykę prądowo-napięciową elementu nieliniowego oraz charakterystykę części liniowej obwodu. Ponieważ charakterystyki elementów części liniowej są liniami prostymi to także wypadkowa charakterystyka prądowo-napięciowa tej części obwodu jest także prostą. Aby ją narysować wystarczy wyznaczyć dwa punkty tej charakterystyki. Pierwszy przy zwarciu, a drugi przy rozwarciu zacisków A i B. Odpowiadające tym stanom punkty mają współrzędne

Iz=ER,Uz=0V przy zwarciu, Ir=0A,Ur=E przy rozwarciu.


Punkt przecięcia prostej z charakterystyką elementu nieliniowego wyznacza punkt pracy Q tego elementu oraz obwodu liniowego. Często prostą, która jest obrazem charakterystyki części liniowej obwodu nazywamy prostą obciążenia elementu nieliniowego (np. diody lub tranzystora).


Przy połączeniu równoległym suma prądów jest stała i równa I.

I=UQR+IQ

Podobnie jak przy połączeniu szeregowym prąd IQ oraz napięcie UQ określają współrzędne punktu pracy elementu nieliniowego.


Konstrukcją graficzna umożliwiająca wyznaczeniu punktu pracy elementu nieliniowego jest identyczna jak w przypadku połączenia szeregowego. Zwierając

i rozwierając zaciski A i B obwodu otrzymujemy współrzędne prostej obciążenia


Iz=I,Uz=0V przy zwarciu, Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle I_r = 0 A, U_r = I•R} przy rozwarciu. Punkt przecięcia prostej obciążenia z charakterystyką elementu nieliniowego wyznacza punkt pracy Q tego elementu oraz części liniowej obwodu.


Układy diodowe

Diody sygnałowe i mocy, diody elektroluminescencyjne zawsze muszą być połączone szeregowo z rezystorem ograniczającym przepływający przez nie prąd. Wartość tego rezystora musi być tak dobrana, aby nie zostały przekroczone wartości graniczne prądu przewodzenia i mocy strat określonej diody.


Na slajdzie 8 przedstawiono zmianę położenia prostej obciążenia przy zasilaniu układu rezystor-dioda ze źródła napięcia przemiennego:

u(ωt)=2Usin Insertformulahere Przy takim sterowaniu dioda pracuje w dwóch stanach: stanie przewodzenia i stanie zaporowy. Punkt pracy przesuwa się po charakterystyce prądowo-napięciowej pomiędzy dwoma skrajnymi położeniami Q1iQ2


Dla stabilistora (diody Zenera i diody lawinowej) obszarem roboczym jest najczęściej stan, w którym występuje polaryzacja zaporowa i przyrząd pracuje jak stabilizator napięcia (slajd 9). Z tego powodu, każdy stabilistor podobnie jak diody sygnałowe musi być dołączony do źródła zasilania przez rezystor. Rezystor musi ograniczyć wartość prądu w stabilistorze tak, aby nie została przekroczona graniczna wartość mocy strat. Na slajdzie przedstawiono zmianę położenia punktu pracy stabilistora pracującego w układzie parametrycznego stabilizatora napięcia przy zmianach wartości rezystancji szeregowej R. Istnieje pewna minimalna wartość rezystancji Rmin, przekroczenie której spowoduje przesunie punktu pracy powyżej krzywej dopuszczalnej mocy strat Ptot i stabilistor ulegnie uszkodzeniu.

Układy tranzystorowe.

Obszar dopuszczalnej pracy tranzystora bipolarnego tzn. obszar w którym może znaleźć się punkt pracy tranzystora bez ryzyka jego szkodzenia można przedstawić posługując się charakterystykami wyjściowymi tranzystora. Obszar ten jest ograniczony krzywą mocy strat PC lub Ptot, która uwzględnia zjawisko powielania lawinowego nośników w złączu kolektorowym występujące przy dużych napięciach kolektor-emiter, wartością maksymalną prądu kolektora ICmax , minimalnym prądem kolektora, który dla IB=0 A jest równy prądowi zerowemu ICE0 oraz napięciem maksymalnym UCEmax. Minimalny prąd kolektora oraz napięcie maksymalne mogą być różne w zależności od sposobu sterownia tranzystora


Największą wartość napięcia kolektor-emiter UCEV, zbliżoną do wartości UCE0 przy odłączonym emiterze (slajd 12) można uzyskać, gdy baza jest wysterowana względem emitera ujemnym napięciem. Na slajdzie 11 przedstawiono charakterystyki wyjściowe tranzystora przy różnych wariantach strategii sterowania.

Warianty sterowania

W zależności od wartości rezystancji RBE dołączonej równolegle do złącza baza-emiter minimalny prąd kolektora będzie zmieniał się jak na wykresie przedstawionym na slajdzie 13. Prąd ICS odpowiada stanowi, gdy Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle I_B < 0 A i R_B_E = 0 Ω} (slajd 12, rys. e).

Punkt pracy tranzystora można jednoznacznie określić w polu charakterystyk wyjściowych, jeżeli znane są IBQ,ICQ,UCEQ. Załóżmy, że dane są charakterystyki wyjściowe tranzystora pracującego w układzie wzmacniacza jak na slajdzie 14.

Postępując podobnie jak w układach z diodami możemy oddzielić część liniową obwodu od części nieliniowej. Część nieliniowa (tranzystor) ma znaną charakterystykę prądowo-napieciową. Charakterystyka części liniowej obwodu jest liniowa. Dwa punktu tej charakterystyki określamy zwierając i rozwierając elektrody

C i E tranzystora. Przy zwarciu można napisać

Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle E_C-I_C_z R_C+I_E_z R_Egdzie I_C_z = \alpha 0·I_E_z.} Zatem

Iz=ICz=ECRC+REα0Uz=UCez=0V

Przy rozwarciu

Ir=0A,

Ur=UCEr=EC


Punkt przecięcia tak wyznaczonej prostej (prostej obciążenia) z charakterystyką tranzystora odpowiadającą prądowi IB który w tym wypadku będzie również stanowił prąd IBQ wyznaczy współrzędne punktu pracy ICQ oraz UCEQ tranzystora.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.


Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.