PEE Zadania do samodzielengo rozwiązania: Różnice pomiędzy wersjami

Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Ksiwek (dyskusja | edycje)
Nie podano opisu zmian
Ksiwek (dyskusja | edycje)
Nie podano opisu zmian
Linia 522: Linia 522:
'''Zad. 21'''
'''Zad. 21'''


Dla tranzystora bipolarnego przy <math>I_C = 3 mA</math> i <math>U_{CE} = 5 V</math> rezystancja <math>r_{CE} = 40 k\Omega</math>, <math>\beta_0 = 150</math>. obliczyć wartości parametrów <math>\beta_Z</math>, <math>U_E</math> u modelujących zjawisko Earlyego.
Dla tranzystora bipolarnego przy <math>I_C = 3 mA</math> i <math>U_{CE} = 5 V</math> rezystancja <math>r_{CE} = 40 k\Omega</math>, <math>\beta_0 = 150</math>. obliczyć wartości parametrów <math>\beta_Z</math>, <math>U_E</math> modelujących zjawisko Earlyego.


Odp.
Odp.
<math>\beta_Z = 143,7</math>
<math>\beta_Z = 143,7</math>
<math>U_E = 115 V</math>
<math>U_E = 115 V</math>


Linia 537: Linia 539:


Odp.
Odp.
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_22b.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_22b.jpg]]


Linia 546: Linia 549:


Odp.
Odp.
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_23.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_23.jpg]]


Linia 557: Linia 561:


Odp.
Odp.
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_24b.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_24b.jpg]]

Wersja z 20:19, 26 paź 2006

Przykłady zadań do samodzielengo rozwiązania

Zad 1

Obliczyć rezystancję z zacisków A-B obwodu.

Dane:

R1=3Ω
R2=7Ω
R3=20Ω
R4=5Ω
R5=10Ω
R6=10Ω

Odp. RAB=5,26Ω


Zad. 2

Obliczyć rezystancję z zacisków A-B obwodu.

a)

Dane:

R1=2Ω
R2=5Ω
R3=1Ω
R4=3Ω
R5=2Ω
R6=1Ω
R7=1Ω
R8=2Ω


Odp. RAB=2,61Ω


Zad. 3

Metodą praw Kirchhoffa obliczyć prądy w obwodzie.

a)

Dane:

I=5A
E=10V
R1=1Ω
R2=5Ω
R3=10Ω


Odp. I1=4A, I2=1A


Zad. 4

Wyznaczyć rozpływy prądów w obwodzie. Sporządzić bilans mocy.

a)

Dane:

e(t)=102sin(t+90)V
R1=2Ω
R2=1Ω
C=0,5F
L=1H


Odp. I=(0,5+j3,5)A, URLC=(1+j3)A, I1=(9+j1)A, I2=(1,5j0,1)A, I3=(1+j3)A,

Podb=35W, Qodb=5var, Sgen=(35+j5)VA


Zad. 5

Narysować wykres wektorowy dla obwodu.

a)



Zad. 6

Obliczyć prądy w obwodach stosując metodę:

a) potencjałów węzłowych

Dane:

I1=5A
I2=2A
E=10V
R1=5Ω
R2=5Ω
R3=5Ω
R4=10Ω


Odp. IR2=2,75A, IR3=2,25A, IR4=0,75A


b) metodę oczkową

Dane:

I1=5A
I2=10A
R1=1Ω
R2=2Ω
R3=2Ω
R4=8Ω
R4=3Ω


Odp. IR2=7A, IR3=3A, IR4=2A, IR5=8A


Zad. 7

Stosując metodę Thevenina wyznaczyć prąd Ix w obwodzie.

Dane:

E1=20V
E2=5V
R1=10Ω
R2=20Ω
R3=10Ω
R4=10Ω
R5=5Ω


Odp. Ix=0,5A


Zad. 8

Obliczyć prądy i bilans mocy w obwodzie.

a)

Dane:

i(t)=102sin(t+45)A
R=5Ω
L1=2H
L2=1H
C1=0,5F
C2=0,5F


Odp. I1=(2,72+j4,08)A, I2=(2,72j4,08)A, I3=(1,67j1,09)A, I4=(5,44+j8,16)A, Podb=19,225W, Qodb=96,125var, Sgen=(19,225j96,125)VA.


Zad. 9

Wyeliminować sprzężenia w obwodzie.

a)

Odp.


Zad. 10

Obliczyć rozpływy prądów w obwodzie, napięcia na cewkach sprzężonych oraz sporządzić bilans mocy.

Dane:

e(t)=1002sinωt
R1=10Ω
R2=5Ω
XL1=25Ω, XL2=40Ω, XM=10Ω,


Odp. I=(3,19j8,03)A, I1=(2,2j4,52)A, I2=(0,99j3,51)A, UL1=(77,96+j45,21)V, UL2=(95,05+j17,53)V, Podb=319,35W, Qodb=802,76var, Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle S_{źr}=(319,35+j802,76)\, VA}


Zad. 11

Obliczyć moduły prądów liniowych odbiornika trójfazowego przedstawionego na rysunku.

Dane:

R=10Ω
XC=10Ω
XM=10Ω
XL1=20Ω
XL2=20Ω


Odp. |IA|=34,5A, |IB|=24A, |IC|=36,8A


Zad. 12

Wyznaczyć opis stanowy obwodu.

Dane:

R1=2Ω
R2=1Ω
L1=1H
L2=2H
M=1H
C=1F
y=[iR1iCui]

Odp.

[diL1dtdiL2dtduCdt]=[211411010][iL1iL2uC]+[112100][ei]


[iR1iCui]=[100010010][iL1iL2uC]+[000001][ei]

Zad. 13

Wyznaczyć i narysować przebieg iL(t) w stanie nieustalonym po przełączeniu w obwodzie.

Dane:

e1(t)=102sin(ωt90)V
e2(t)=5V
R=5Ω
L=1H
C=0,5F


Odp. iL(t)=1+1,862sin(ωt111,8)1,17e2,5t


Zad. 14

Określić oraz narysować przebieg prądu oraz napięcia kondensatora w stanie nieustalonym po załączeniu wyłącznika. Kondensator był wstępnie naładowany do napięcia uC(0.

Dane:

i=10A
uC(0)=20V
R=10Ω
L=5H
C=15F


Odp.

uC(t)=10080t80tt
iC(t)=80tt

Zad. 15

Wyznaczyć transmitancje napięciowe obwodu oraz charakterystyki częstotliwościowe.

a)

Dane:

R=1kΩ
C=1μF


Odp.

H(s)=ss+1000
|H(jω)|=ωω2+106
φ(ω)=90arctg(ω1000)

Zad. 16

Wyznaczyć transmitancję napięciową oraz odpowiedź impulsową obwodu.

a)

Dane:

R=1Ω
L=1H
C=1F


Odp.

T(s)=1s2+s+1
h(t)=23e0,5tsin34t

Zad. 17

Wyznaczyć opis admitancyjny obwodu

a)


Odp.

[I1I2]=[Y1+Y3+kY3Y3kY3Y3kY3Y2+Y3+kY3][U1U2]

Zad. 18

Obliczyć impedancję wejściową dla obwodów

a)


Odp.

Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle Z_{we}(s)=\frac{s{R_ź}^2C_1}{1+s^2{R_ź}^2C_1C_2}}


b)

Odp.

Zwe=Z1Z2

Zad. 19

W temperaturze 27oC koncentracja swobodnych elektronów w płytce krzemowej jest równa Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle n_{i0} = 1,5·10^{16} m^{-3}} . Ile razy wzrośnie koncentracja ładunku swobodnego, jeżeli temperatura wzrośnie o 100K. Dane: szerokość pasma zabronionego 1,12eV, w 1m3 jest Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle 4,99·10^{28}} atomów krzemu, stała Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle k = 1,38·10^{-23} J/K} .

Odp.

Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle 1,17·10^{5}} razy.


Zad. 20

Stała dyfuzji elektronów w temperaturze 27oC dla krzemu jest równa Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle D_n = 35·10^{-4} m^2s^{-1}} , a czas życia nośników τ=104s. Obliczyć drogę dyfuzji.

Odp.

0,592 mm


Zad. 21

Dla tranzystora bipolarnego przy IC=3mA i UCE=5V rezystancja rCE=40kΩ, β0=150. obliczyć wartości parametrów βZ, UE modelujących zjawisko Earlyego.

Odp.

βZ=143,7

UE=115V


Zad. 22

Dla układu zasilania tranzystora bipolarnego przedstawionego na rysunku wyznaczyć współczynniki stabilizacji punktu pracy. Dane: EC, EB, RC, RB, RE, UBE, ICB0, β.

Odp.


Zad. 23

Wyznaczyć funkcję zależności nachylenia S charakterystyki bramkowej tranzystora unipolarnego od prądu drenu ID

Odp.


Zad. 24

Ile razy zmieni się wzmocnienie napięciowe układu, jeżeli zamkniemy styki wyłącznika W.

Odp.