PEE Zadania egzaminacyjne: Różnice pomiędzy wersjami

Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Ksiwek (dyskusja | edycje)
Nie podano opisu zmian
Ksiwek (dyskusja | edycje)
Nie podano opisu zmian
Linia 41: Linia 41:
Zad. 5
Zad. 5


Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: <math>U_{CC}</math>, <math>R_1</math>, <math>R_2</math>, <math>R_3</math>, <math>R_4</math>, <math>r_{BE}</math>, <math>\beta</math>, <math>k_f 0</math>, <math>r_{CE} \inf</math>.
Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: <math>U_{CC}</math>, <math>R_1</math>, <math>R_2</math>, <math>R_3</math>, <math>R_4</math>, <math>r_{BE}</math>, <math>\beta</math>, <math>k_f \to 0</math>, <math>r_{CE} \to \inf</math>.


[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_5.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_5.jpg]]
Linia 76: Linia 76:


Dane: <math>R_1=30\Omega</math>, <math>R_2=20\Omega</math>, <math>C=0,01F\,</math>, <math>e_1(t)=200V\,</math>, <math>e_2(t)=15V\,</math>       
Dane: <math>R_1=30\Omega</math>, <math>R_2=20\Omega</math>, <math>C=0,01F\,</math>, <math>e_1(t)=200V\,</math>, <math>e_2(t)=15V\,</math>       
<hr width="100%">
Zad. 4
Wykazać, że rezystancja wejściowa tranzystora bipolarnego <math>r_{BE}</math>, jeżeli temperatura złącza jest stała, jest odwrotnie proporcjonalna do natężenia prądu bazy.
<hr width="100%">
Zad. 5
Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: <math>U_{CC}</math>, <math>R_1</math>, <math>R_2</math>, <math>R_3</math>, <math>S</math>, <math>r_{DS}</math>.
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes2_5.jpg]]


<hr width="100%">
<hr width="100%">

Wersja z 19:30, 26 paź 2006

Zadania egzaminacyjne

Zestaw 1

Zad. 1

Obliczyć prąd Ix w obwodzie metodą Thevenina

Dane: i(t)=52sin(ωt+90), e(t)=102sin(ωt90), R=50Ω, ωL=3Ω


Zad. 2

Obliczyć przebieg uC(t) w stanie nieustalonym po przełączeniu w obwodzie

Dane: e1(t)=50V, e2(t)=602sin(ωt+90), R=10Ω, C=0,1F


Zad. 3

Określić transmitancję napięciową, odpowiedź impulsową i charakterystyki częstotliwościowe

Dane: R=5Ω, L=1H, C=0,5F


Zad. 4

Wykazać, że kondunktancja dynamiczna gD diody półprzewodnikowej jest wprost proporcjonalna do natężenia prądu przewodzenia ID.


Zad. 5

Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: UCC, R1, R2, R3, R4, rBE, β, kf0, rCEinf.




Zestaw 2

Zad. 1

Narysować wykres wektorowy dla obwodu


Zad. 2

Obliczyć moce elementów w obwodzie i sporządzić bilans mocy.

Dane: XL1=ωL1=40Ω, XL2=ωL2=20Ω, XM=ωM=20Ω, R=20Ω, |Uf|=100V


Zad. 3

Obliczyć przebieg uC(t) w stanie nieustalonym po przełączeniu w obwodzie

Dane: R1=30Ω, R2=20Ω, C=0,01F, e1(t)=200V, e2(t)=15V


Zad. 4

Wykazać, że rezystancja wejściowa tranzystora bipolarnego rBE, jeżeli temperatura złącza jest stała, jest odwrotnie proporcjonalna do natężenia prądu bazy.


Zad. 5

Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: UCC, R1, R2, R3, S, rDS.