PEE Moduł 14: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 78: | Linia 78: | ||
<math>u(\omega t)=\sqrt 2 Usin</math> | <math>u(\omega t)=\sqrt 2 Usin</math> | ||
<math>Insert formula here</math> | |||
Przy takim sterowaniu dioda pracuje w dwóch stanach: stanie przewodzenia i stanie zaporowy. Punkt pracy przesuwa się po charakterystyce prądowo-napięciowej pomiędzy dwoma skrajnymi położeniami | Przy takim sterowaniu dioda pracuje w dwóch stanach: stanie przewodzenia i stanie zaporowy. Punkt pracy przesuwa się po charakterystyce prądowo-napięciowej pomiędzy dwoma skrajnymi położeniami <math>Q_1 i Q_2</math> | ||
|} | |} | ||
Linia 86: | Linia 86: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd9.png|thumb|500px]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd9.png|thumb|500px]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Dla stabilistora (diody Zenera i diody lawinowej) obszarem roboczym jest najczęściej stan, w którym występuje polaryzacja zaporowa i przyrząd pracuje jak stabilizator napięcia (slajd 9). Z tego powodu, każdy stabilistor podobnie jak diody sygnałowe musi być dołączony do źródła zasilania przez rezystor. Rezystor musi ograniczyć wartość prądu w stabilistorze tak, aby nie została przekroczona graniczna wartość mocy strat. Na slajdzie przedstawiono zmianę położenia punktu pracy stabilistora pracującego w układzie parametrycznego stabilizatora napięcia przy zmianach wartości rezystancji szeregowej R. Istnieje pewna minimalna wartość rezystancji <math>R_{min}</math>, przekroczenie której spowoduje przesunie punktu pracy powyżej krzywej dopuszczalnej mocy strat <math>P_{tot}</math> i stabilistor ulegnie uszkodzeniu. | ||
|} | |} | ||
Linia 93: | Linia 92: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd10.png|thumb|500px]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd10.png|thumb|500px]] | ||
|valign="top"|''' | |valign="top"|'''Układy tranzystorowe.''' | ||
''' | |||
Obszar dopuszczalnej pracy tranzystora bipolarnego tzn. obszar w którym może znaleźć się punkt pracy tranzystora bez ryzyka jego szkodzenia można przedstawić posługując się charakterystykami wyjściowymi tranzystora. Obszar ten jest ograniczony krzywą mocy strat <math>P_C</math> lub <math>P_t_o_t</math>, która uwzględnia zjawisko powielania lawinowego nośników w złączu kolektorowym występujące przy dużych napięciach kolektor-emiter, wartością maksymalną prądu kolektora <math>I_C_m_a_x</math> , minimalnym prądem kolektora, który dla <math>I_B = 0</math> A jest równy prądowi zerowemu <math>I_C_E_0</math> oraz napięciem maksymalnym <math>U_C_E_m_a_x</math>. Minimalny prąd kolektora oraz napięcie maksymalne mogą być różne w zależności od sposobu sterownia tranzystora | |||
|} | |} | ||
Linia 100: | Linia 101: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd11.png|thumb|500px]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd11.png|thumb|500px]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Największą wartość napięcia kolektor-emiter <math>U_C_E_V</math>, zbliżoną do wartości <math>U_C_E_0</math> przy odłączonym emiterze (slajd 12) można uzyskać, gdy baza jest wysterowana względem emitera ujemnym napięciem. Na slajdzie 11 przedstawiono charakterystyki wyjściowe tranzystora przy różnych wariantach strategii sterowania. | ||
|} | |} | ||
Linia 107: | Linia 107: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd12.png|thumb|500px]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd12.png|thumb|500px]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Warianty sterowania | ||
|} | |} | ||
Linia 114: | Linia 113: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd13.png|thumb|500px]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd13.png|thumb|500px]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|W zależności od wartości rezystancji <math>R_B_E</math> dołączonej równolegle do złącza baza-emiter minimalny prąd kolektora będzie zmieniał się jak na wykresie przedstawionym na slajdzie 13. Prąd <math>I_C_S</math> odpowiada stanowi, gdy <math>I_B < 0 A i R_B_E = 0 Ω</math> (slajd 12, rys. e). | ||
|} | |} | ||
Linia 121: | Linia 119: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd14.png|thumb|500px]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd14.png|thumb|500px]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Punkt pracy tranzystora można jednoznacznie określić w polu charakterystyk wyjściowych, jeżeli znane są <math>I_B_Q, I_C_Q, U_C_E_Q</math>. Załóżmy, że dane są charakterystyki wyjściowe tranzystora pracującego w układzie wzmacniacza jak na slajdzie 14. | ||
|} | |} | ||
Linia 128: | Linia 125: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd15.png|thumb|500px]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:PEE_M14_Slajd15.png|thumb|500px]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Postępując podobnie jak w układach z diodami możemy oddzielić część liniową obwodu od części nieliniowej. Część nieliniowa (tranzystor) ma znaną charakterystykę prądowo-napieciową. Charakterystyka części liniowej obwodu jest liniowa. Dwa punktu tej charakterystyki określamy zwierając i rozwierając elektrody | ||
C i E tranzystora. | |||
Przy zwarciu można napisać | |||
<math>E_C-I_C_z R_C+I_E_z R_Egdzie I_C_z = \alpha 0·I_E_z.</math> | |||
Zatem | |||
<math>I_z=I_C_z=\frac{E_C}{R_C+\frac{R_E}{\alpha_0}}Uz = UCez = 0 V</math> | |||
Przy rozwarciu | |||
<math>I_r = 0 A,</math> | |||
<math>U_r = U_C_E_r = E_C </math> | |||
Punkt przecięcia tak wyznaczonej prostej (prostej obciążenia) z charakterystyką tranzystora odpowiadającą prądowi <math>I_B</math> który w tym wypadku będzie również stanowił prąd IBQ wyznaczy współrzędne punktu pracy <math>I_C_Q</math> oraz <math>U_C_E_Q</math> tranzystora. | |||
|} | |} | ||
Wersja z 11:52, 12 wrz 2006
![]() |
Wykład 14. Podstawowe topologie połączeń elementów półprzewodnikowych: punkt pracy, stany pracy
|
![]() |
Przy połączeniu równoległym suma prądów jest stała i równa I.
Podobnie jak przy połączeniu szeregowym prąd IQ oraz napięcie UQ określają współrzędne punktu pracy elementu nieliniowego. |
![]() |
Warianty sterowania |
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|
![]() |
Slajd 1. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych.
|