TTS Moduł 6: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 409: | Linia 409: | ||
<hr width="100%"> | <hr width="100%"> | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd28.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd28.png]] | ||
|valign="top"|Podstawowa teoria filtrów opisuje filtry dolnoprzepustowe. Popularnym jest filtr o charakterystyce '''maksymalnie płaskiej - Butterworth’a'''. | |valign="top"|Podstawowa teoria filtrów opisuje filtry dolnoprzepustowe. Popularnym jest filtr o charakterystyce '''maksymalnie płaskiej - Butterworth’a'''. | ||
Linia 416: | Linia 418: | ||
Teoria filtru o charakterystyce zafalowanej, z jednakowymi maksymalnymi odchyleniami oparta została o teorię wielomianów Czebyszewa. Charakterystykę taką pokazano na rysunku. Filtry tego rodzaju nazywane są filtrami o '''charakterystyce Czebyszewa'''. | Teoria filtru o charakterystyce zafalowanej, z jednakowymi maksymalnymi odchyleniami oparta została o teorię wielomianów Czebyszewa. Charakterystykę taką pokazano na rysunku. Filtry tego rodzaju nazywane są filtrami o '''charakterystyce Czebyszewa'''. | ||
Wielomian <math>T_N\,</math> charakterystyczny jest tym, że dla zakresu pulsacji <math>\omega/{\omega_C} | Wielomian <math>T_N\,</math> charakterystyczny jest tym, że dla zakresu pulsacji <math>\omega/{\omega_C}\le 1</math> jego wartość mieści się w granicach <math>-1<T_N(\omega/{\omega_C})<1</math>, natomiast poza tym zakresem, dla <math>\omega/{\omega_C}>1</math> wartość <math>T_N(\omega/{\omega_C})\,</math> rośnie monotonicznie. W zakresie pulsacji <math>\omega/{\omega_C}\le 1</math> wartość funkcji <math>T_N(\omega/{\omega_C})\,</math> „faluje”, a wartość zafalowań może być kontrolowana. | ||
|} | |} | ||
Linia 424: | Linia 426: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd29.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd29.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Podstawową strukturę filtru prototypu dolnoprzepustowego pokazano na rysunku a). Wartości <math>L_1,C_1,...,L_n,C_n\,</math> zależą od liczby par elementów i są znormalizowane dla <math>\omega=1\,</math> i <math>R_G=R_L=1</math>. Rzeczywiste wartości <math>L\,</math> i <math>C\,</math> otrzymuje się po właściwym przeskalowaniu. | ||
Znając elementy dolnoprzepustowego filtru prototypu można obliczyć elementy każdego innego filtru jeżeli tylko znamy jego pasmo pracy. Na rysunku b) pokazano zasadę wymienności elementów filtru. Odpowiednia zamiana elementów <math>L\,</math> i <math>C\,</math> czyni z filtru dolnoprzepustowego filtr górnoprzepustowy. | |||
Zastąpienie elementów <math>L\,</math> i <math>C\,</math> w filtrze D-P przez obwody rezonansu szeregowego i równoległego prowadzi do charakterystyk filtrów pasmowo-przepustowego i środkowo-zaporowego. Wartości elementów obwodów rezonansowych otrzymuje się ze wzorów i po przeskalowaniu. | |||
Dla przykładu na rysunku c) pokazano strukturę filtr pasmowo-przepustowego, (albo środkowoprzepustowego), powstałego z przetransformowania dolnoprzepustowego. | |||
Wiemy, że charakterystyki obwodów rezonansowych, a najogólniej rezonatorów są selektywne, szybko zmieniają się wokół częstotliwości rezonansowej. Filtry są także strukturami rezonansowymi, ale bardziej złożonymi. Kształt ich charakterystyk można w pewnym stopniu komponować, dopasowywać do potrzeb. | |||
|} | |} | ||
Linia 432: | Linia 442: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd30.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd30.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Rezonator półfalowy jest odcinkiem linii współosiowej zwartej na obu końcach. Rezonator taki może być częściowo, lub całkowicie wypełniony dielektrykiem. Warunek rezonansu dla takiego rezonatora zapisuje się prostym wzorem. Najmniejszą, podstawową częstotliwość rezonansową otrzymujemy dla <math>n=1\,</math>. Kolejne częstotliwości rezonansowe są wielokrotnościami podstawowej: | ||
Na rysunku a) pokazano strukturę i wymiary rezonatora półfalowego. Na rysunku b) pokazano rozkład pola elektrycznego wzdłuż osi rezonatora. Pole elektryczne zanika w miejscu umieszczenia zwarcia. Warunek rezonansu oznacza, że wzdłuż osi rezonatora odkłada się całkowita (n) ilość "połówek" fali. Na rysunku c) pokazano rozkład pola elektrycznego dla kolejnych rezonansów, <math>n=2\,</math> i <math>n=3\,</math>. | |||
|} | |} | ||
Linia 440: | Linia 452: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd31.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd31.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|'''Rezonator ćwierćfalowy''' jest odcinkiem linii współosiowej zwartym na jednym końcu, a na drugim rozwartym – rysunek a). Koniec rozwarty przechodzi zwykle w cylindryczny falowód podkrytyczny, aby promieniowanie fali elektromagnetycznej nie powiększało strat rezonatora. Dla takiej struktury warunek rezonansu zapisze się prostą zależnościa. | ||
Dla n=1 częstotliwość rezonansowa jest najmniejsza. Kolejne częstotliwości rezonansowe obliczyć można ze wzoru. Na rysunku b) pokazano rozkład natężenia pola elektrycznego dla modu podstawowego. Kolejne mody dla <math>n=3\,</math> i <math>n=5\,</math> pokazano na rysunku c). Wzdłuż osi rezonatora dokłada się całkowita, nieparzysta ilość <math>(n)\,</math> „ćwiartek” fali. | |||
Struktury rezonatorów półfalowego i ćwierćfalowego są zamknięte i Czytelnik zastanawia się jak pobudzić taki odcinek linii współosiowej. Pobudzanie rezonatora współosiowego należy skonstruować w taki sposób, aby wzbudzić żądany mod bez wzbudzenie modów niepożądanych. Realizuje się to bądź sondą/antenką umieszczoną w maksimum pola elektrycznego, bądź pętlą umieszczoną w maksimum pola magnetycznego. | |||
|} | |} | ||
Linia 448: | Linia 464: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd32.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd32.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Rezonatory można także wykonywać w oparciu o linię mikropaskową. Ze względu na użyty dielektryk linia mikropaskowa ma stosunkowo duże straty. Także w przypadku rezonatorów straty na promieniowanie zaczynają odgrywać istotną rolę. Dlatego nie należy oczekiwać dużych dobroci tak realizowanych rezonatorów (zwykle <math>Q_0<1000</math>). Jednakże w wielu przypadkach użycie tego typu prowadnicy jest konieczne. | ||
Najprostszą strukturę tworzy odcinek linii mikropaskowej o długości <math>l\,</math>, rozwarty na obu końcach, który jest '''rezonatorem półfalowym'''. Na rysunku a) pokazano najprostszy przypadek rezonatora półfalowego, sprzężonego z dwiema prowadnicami falowymi. | |||
Na rysunku b) rezonator półfalowy może być pobudzony przez sygnał z linii mikropaskowej, którą oddziela od rezonatora wąska szczelina. W obu ostatnich przypadkach rezonator sprzężony jest odbiciowo. | |||
'''Rezonator pierścieniowy''' utworzony jest przez zamknięty odcinek linii mikropaskowej, jak pokazano na rysunku c). Fale propagowane są w obie strony, dlatego czasami struktura taka nazywana jest '''rezonatorem z falą bieżącą'''. | |||
W omawianym przypadku rezonator włączony jest transmisyjnie, gdyż jego struktura wraz z dwoma prowadnicami tworzy symetryczny dwuwrotnik. | |||
Rezonator pierścieniowy można także budować wykorzystując inne typy prowadnic falowych: np. falowód prostokątny. | |||
|} | |} | ||
Linia 457: | Linia 483: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd33.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd33.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Miniaturyzacja układów mikrofalowych wykonywanych w technologiach planarnych uniemożliwia wykorzystanie rezonatorów falowodowych o dużych dobrociach. Ponieważ rezonatory wykonane na bazie linii mikropaskowej nie osiągają dużych dobroci, to poszukiwano innych rozwiązań. | ||
Takim rozwiązaniem stał się '''rezonator dielektryczny''', który jest dyskiem wykonanym z dielektryka o dużej przenikalności elektrycznej <math>\epsilon r = 30...100\,</math>. Struktura jest całkowicie otwarta i nie ma żadnej ścianki metalowej. | |||
Rezonator dielektryczny jest strukturą wielomodową. Podstawowym modem rezonansowym jest <math>TE_{01\delta}\,</math>. Rozkład pola EM dla tego modu pokazano na rysunku c). Duża rozmaitość wyższych modów utrudnia ich kontrolę. Dobrocie własne <math>Q_0\,</math> rezonatorów są stosunkowo duże, w granicach <math>3000...8000\,</math>. | |||
Rezonator dielektryczny dobrze sprzęga się z linią mikropaskową. Pole magnetyczne otaczające pasek wnika do obszaru rezonatora i wzbudza pole elektryczne. Oczywiście wzbudzenie jest możliwe tylko wokół częstotliwości rezonansowej. | |||
Wielką zaletą rezonatorów dielektrycznych jest możliwość stabilizacji termicznej ich częstotliwości rezonansowej. Częstotliwość rezonansowa rezonatora, w ogólnym przypadku, jest funkcją jego rozmiarów i przenikalności elektrycznej dielektryka, z którego jest zrobiony. Zwykle z temperaturą rosną liniowo rozmiary rezonatora, a jego częstotliwość rezonansowa maleje, gdyż . Wzrost przenikalności względnej r powoduje także malenie częstotliwości, gdyż . Jednakże znane są materiały dielektryczne, wśród których wartość pochodnej można dobierać dodatnią „+” lub ujemną „-”. W rezultacie zmiany przenikalności r mogą kompensować zmiany wymiarów rezonatora i częstotliwość rezonansowa rezonatora dielektrycznego może być niezależna od temperatury. | |||
|} | |} |
Wersja z 13:07, 28 sie 2006
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |