TTS Moduł 6: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 56: | Linia 56: | ||
Łączenie ze sobą rozmaitych przyrządów wymaga użycia kabli wyposażonych w jednakowe złącza. Przyrządy wyposażone są zwykle w gniazda wejściowe lub wyjściowe uznanych standardów, umożliwiających wyprowadzenie, albo doprowadzenie sygnałów. | Łączenie ze sobą rozmaitych przyrządów wymaga użycia kabli wyposażonych w jednakowe złącza. Przyrządy wyposażone są zwykle w gniazda wejściowe lub wyjściowe uznanych standardów, umożliwiających wyprowadzenie, albo doprowadzenie sygnałów. | ||
Najpopularniejszym jest ''złącze N''. Jego prostota, uniwersalność i niezawodność spowodowały, że z biegiem lat złącze N zostało uznane za najlepsze i jest powszechnie stosowane przez konstruktorów mikrofalowej aparatury pomiarowej. Średnica przewodu zewnętrznego linii powietrznej wynosi dla tego standardu 7 mm i dlatego jest rekomendowane do 18 GHz (pamiętamy, że w linii współosiowej można wzbudzić inne poza TEM mody, jeśli częstotliwość sygnału odpowiednio wzrośnie). Wygląd wtyków N i wymiary złącza pokazano na rysunku a). | Najpopularniejszym jest '''złącze <math>N\,</math>'''. Jego prostota, uniwersalność i niezawodność spowodowały, że z biegiem lat złącze <math>N\,</math> zostało uznane za najlepsze i jest powszechnie stosowane przez konstruktorów mikrofalowej aparatury pomiarowej. Średnica przewodu zewnętrznego linii powietrznej wynosi dla tego standardu 7 mm i dlatego jest rekomendowane do 18 GHz (pamiętamy, że w linii współosiowej można wzbudzić inne poza TEM mody, jeśli częstotliwość sygnału odpowiednio wzrośnie). Wygląd wtyków N i wymiary złącza pokazano na rysunku a). | ||
Aby powiększyć częstotliwościowy zakres pracy linii współosiowych opracowano w latach 60-tych złącze SMA, istotnie zminiaturyzowane w stosunku do złącza N. Opracowano je dla linii współosiowej o średnicy przewodu zewnętrznego 4,13 mm całkowicie wypełnionej teflonem. Złącza te mogą pracować do 25 GHz. Strukturę złącza SMA pokazano na rysunku b). | Aby powiększyć częstotliwościowy zakres pracy linii współosiowych opracowano w latach 60-tych złącze SMA, istotnie zminiaturyzowane w stosunku do złącza <math>N\,</math>. Opracowano je dla linii współosiowej o średnicy przewodu zewnętrznego 4,13 mm całkowicie wypełnionej teflonem. Złącza te mogą pracować do 25 GHz. Strukturę złącza SMA pokazano na rysunku b). | ||
Połączenie dwóch odcinków linii współosiowej złączem wprowadza niewielkie zaburzenie w propagacji fali. W miarę wzrostu częstotliwości zaburzenie to powoduje istotne odbicia. Odbicia te mogą utrudniać pomiary i być przyczyną błędów. Aby zmniejszyć nieciągłości wprowadzone przez złącze i zminimalizować odbicia opracowano specjalne konstrukcje precyzyjnych złączy APC-7 i APC-3,5 (''Amphenol Precision Connector''). Są to złącza z rodzaju ''”sexless”'', umożliwiające połączenie każdego z każdym. Złącze APC-7 opracowano dla średnicy przewodu powietrznego, zewnętrznego 7 mm; zalecane jest do 18 GHz. Złącze APC-3,5 opracowano dla średnicy przewodu powietrznego zewnętrznego 3,5 mm; zalecane jest do 40 GHz. | Połączenie dwóch odcinków linii współosiowej złączem wprowadza niewielkie zaburzenie w propagacji fali. W miarę wzrostu częstotliwości zaburzenie to powoduje istotne odbicia. Odbicia te mogą utrudniać pomiary i być przyczyną błędów. Aby zmniejszyć nieciągłości wprowadzone przez złącze i zminimalizować odbicia opracowano specjalne konstrukcje precyzyjnych złączy APC-7 i APC-3,5 (''Amphenol Precision Connector''). Są to złącza z rodzaju ''”sexless”'', umożliwiające połączenie każdego z każdym. Złącze APC-7 opracowano dla średnicy przewodu powietrznego, zewnętrznego 7 mm; zalecane jest do 18 GHz. Złącze APC-3,5 opracowano dla średnicy przewodu powietrznego zewnętrznego 3,5 mm; zalecane jest do 40 GHz. | ||
Linia 94: | Linia 94: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd7.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd7.png]] | ||
|valign="top"|Teoria obwodów o stałych skupionych opisuje zachowanie elementów i układów elektronicznych budując dla nich obwody zastępcze złożone z elementów R, L i C. Teoria obwodów o stałych rozłożonych dodaje do arsenału elementów odcinek linii wraz ze zwarciem i rozwarciem. Z drugiej strony chcemy budować obwody pełniące określone funkcje, takie jak obwody dopasowujące, filtry, itp., z elementów, które zachowują się jak R, L i C. | |valign="top"|Teoria obwodów o stałych skupionych opisuje zachowanie elementów i układów elektronicznych budując dla nich obwody zastępcze złożone z elementów <math>R\,</math>, <math>L\,</math> i <math>C\,</math>. Teoria obwodów o stałych rozłożonych dodaje do arsenału elementów odcinek linii wraz ze zwarciem i rozwarciem. Z drugiej strony chcemy budować obwody pełniące określone funkcje, takie jak obwody dopasowujące, filtry, itp., z elementów, które zachowują się jak <math>R\,</math>, <math>L\,</math> i <math>C\,</math>. | ||
Rezystor R jest elementem, przez który pod napięciem U płynie prąd I w fazie z U. Stosunek U/I określony jest prawem Ohma i jego wartość R jest niezależna od f. Powstaje pytanie, jak zrealizować rezystor? | Rezystor <math>R\,</math> jest elementem, przez który pod napięciem <math>U\,</math> płynie prąd <math>I\,</math> w fazie z <math>U\,</math>. Stosunek <math>U/I\,</math> określony jest prawem Ohma i jego wartość <math>R\,</math> jest niezależna od <math>f\,</math>. Powstaje pytanie, jak zrealizować rezystor? | ||
Na rysunku a) pokazano rezystor utworzony przez nałożenie warstwy rezystywnej na walec ceramiczny. Tak powstały element zachowuje się jak rezystor w szerokim pasmie częstotliwości. Jednakże w ze wzrostem częstotliwości impedancja takiego elementu zmienia się i poprawne opisanie wartości tej impedancji wymaga użycie obwodu zastępczego z dodatkowymi elementami L i C. | Na rysunku a) pokazano rezystor utworzony przez nałożenie warstwy rezystywnej na walec ceramiczny. Tak powstały element zachowuje się jak rezystor w szerokim pasmie częstotliwości. Jednakże w ze wzrostem częstotliwości impedancja takiego elementu zmienia się i poprawne opisanie wartości tej impedancji wymaga użycie obwodu zastępczego z dodatkowymi elementami <math>L\,</math> i <math>C\,</math>. | ||
Rezystor pokazany na rysunku b) powstał po nałożeniu warstwy rezystywnej na powierzchnię dysku ceramicznego. Tak skonstruowany rezystor łatwo wmontować do linii współosiowej między przewodem wewnętrznym i zewnętrznym. | Rezystor pokazany na rysunku b) powstał po nałożeniu warstwy rezystywnej na powierzchnię dysku ceramicznego. Tak skonstruowany rezystor łatwo wmontować do linii współosiowej między przewodem wewnętrznym i zewnętrznym. | ||
Linia 110: | Linia 110: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd8.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd8.png]] | ||
|valign="top"|Indukcyjność jest elementem, przez który płynie prąd I opóźniony o <math>90^\circ\,</math> w stosunku do napięcia U, którego reaktancja jest proporcjonalna do częstotliwości f. Elementarną indukcyjność L tworzy odcinek przewodu metalowego, pokazany na rysunku a). Wartość L obliczamy z podanej zależności. Przewody miedziane, lub złote łączące elementy układów mogą być traktowane jako zwarcie tylko dla małych częstotliwości. | |valign="top"|Indukcyjność jest elementem, przez który płynie prąd <math>I\,</math> opóźniony o <math>90^\circ\,</math> w stosunku do napięcia <math>U\,</math>, którego reaktancja jest proporcjonalna do częstotliwości <math>f\,</math>. Elementarną indukcyjność <math>L\,</math> tworzy odcinek przewodu metalowego, pokazany na rysunku a). Wartość <math>L\,</math> obliczamy z podanej zależności. Przewody miedziane, lub złote łączące elementy układów mogą być traktowane jako zwarcie tylko dla małych częstotliwości. | ||
Indukcyjność prostego przewodu jest niewielka. Strukturę cewki utworzonej przez wiele zwojów, często nawiniętych na rdzeniu z materiału ferrytowego pokazano na rysunku b). Obwód zastępczy takiego elementu jest złożony. Występujące pojemności międzyzwojowe reprezentowane są przez pojemność C. Obwód ten ma swoją częstotliwość rezonansową, powyżej której jego impedancja ma charakter pojemnościowy. | Indukcyjność prostego przewodu jest niewielka. Strukturę cewki utworzonej przez wiele zwojów, często nawiniętych na rdzeniu z materiału ferrytowego pokazano na rysunku b). Obwód zastępczy takiego elementu jest złożony. Występujące pojemności międzyzwojowe reprezentowane są przez pojemność <math>C\,</math>. Obwód ten ma swoją częstotliwość rezonansową, powyżej której jego impedancja ma charakter pojemnościowy. | ||
W wielu przypadkach pojawia się konieczność zastosowania indukcyjności skupionej w układach planarnych. Indukcyjność zrealizowana w strukturze linii mikropaskowej pokazana jest na rysunku c). | W wielu przypadkach pojawia się konieczność zastosowania indukcyjności skupionej w układach planarnych. Indukcyjność zrealizowana w strukturze linii mikropaskowej pokazana jest na rysunku c). | ||
Linia 122: | Linia 122: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd9.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M6_Slajd9.png]] | ||
|valign="top"|Kondensator jest elementem, dla którego prąd I wyprzedza napięcie U o | |valign="top"|Kondensator jest elementem, dla którego prąd <math>I\,</math> wyprzedza napięcie <math>U\,</math> o <math>90^\circ\,</math>, a jego reaktancja, ujemna co do znaku, jest odwrotnie proporcjonalna do częstotliwości. Najprostszym kondensatorem jest kondensator warstwowy, utworzony przez umieszczenie dielektryka o grubości <math>h\,</math> między płaskimi elektrodami metalowymi o powierzchni <math>S\,</math> – rysunek a). Pojemność takiej struktury liczy się z dobrze znanego wzoru (4-2): | ||
Konstrukcje z rysunku b) to struktura międzypalczasta. Struktury takie pozwalają na realizację niewielkich pojemności. Dobór odpowiedniej pojemności realizuje się zmieniając liczbę „palców”, ich długość i odstęp między nimi. | Konstrukcje z rysunku b) to struktura międzypalczasta. Struktury takie pozwalają na realizację niewielkich pojemności. Dobór odpowiedniej pojemności realizuje się zmieniając liczbę „palców”, ich długość i odstęp między nimi. |
Wersja z 11:21, 28 sie 2006
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |