PEE Zadania do samodzielengo rozwiązania: Różnice pomiędzy wersjami
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 496: | Linia 496: | ||
: <math>Z_{we}=Z_1-Z_2</math> | : <math>Z_{we}=Z_1-Z_2</math> | ||
<hr width="100%"> | |||
'''Zad. 19''' | |||
W temperaturze <math>27 ^oC</math> koncentracja swobodnych elektronów w płytce krzemowej jest równa <math>n_{i0} = 1,5·10^{16} m^{-3}</math>. Ile razy wzrośnie koncentracja ładunku swobodnego, jeżeli temperatura wzrośnie o <math>100 K</math>. Dane: szerokość pasma zabronionego <math>1,12 eV</math>, w <math>1 m3</math> jest <math>4,99·10^{28}</math> atomów krzemu, stała <math>k = 1,38·10^{-23} J/K</math>. | |||
Odp. | |||
<math>1,17·10^{5}</math> razy. | |||
<hr width="100%"> | |||
'''Zad. 20''' | |||
Stała dyfuzji elektronów w temperaturze <math>27 ^oC</math> dla krzemu jest równa <math>D_n = 35·10^{-4} m^2s^{-1}</math>, | |||
a czas życia nośników <math>\tau = 10^{-4} s</math>. Obliczyć drogę dyfuzji. | |||
Odp. | |||
0,592 mm | |||
<hr width="100%"> | |||
'''Zad. 21''' | |||
Dla tranzystora bipolarnego przy <math>I_C = 3 mA</math> i <math>U_{CE} = 5 V</math> rezystancja <math>r_{CE} = 40 k\Omega</math>, <math>\beta_0 = 150</math>. obliczyć wartości parametrów <math>\beta_Z</math>, <math>U_E</math> u modelujących zjawisko Earlyego. | |||
Odp. | |||
<math>\beta_Z = 143,7</math> | |||
<math>U_E = 115 V</math> | |||
<hr width="100%"> | |||
'''Zad. 22''' | |||
Dla układu zasilania tranzystora bipolarnego przedstawionego na rysunku wyznaczyć współczynniki stabilizacji punktu pracy. Dane: <math>E_C</math>, <math>E_B</math>, <math>R_C</math>, <math>R_B</math>, <math>R_E</math>, <math>U_{BE}</math>, <math>I_{CB0}</math>, <math>\beta</math>. | |||
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_22a.jpg]] | |||
Odp. | |||
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_22b.jpg]] | |||
<hr width="100%"> | |||
'''Zad. 23''' | |||
Wyznaczyć funkcję zależności nachylenia <math>S</math> charakterystyki bramkowej tranzystora unipolarnego od prądu drenu <math>I_D</math> | |||
Odp. | |||
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_23.jpg]] | |||
<hr width="100%"> | |||
'''Zad. 24''' | |||
Ile razy zmieni się wzmocnienie napięciowe układu, jeżeli zamkniemy styki wyłącznika W. | |||
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_24a.jpg]] | |||
Odp. | |||
[[Grafika:PEE_Zadania_do_sam_24b.jpg]] |
Wersja z 20:13, 26 paź 2006
Przykłady zadań do samodzielengo rozwiązania
Zad 1
Obliczyć rezystancję z zacisków A-B obwodu.
Dane:
Odp.
Zad. 2
Obliczyć rezystancję z zacisków A-B obwodu.
a)
Dane:
Odp.
Zad. 3
Metodą praw Kirchhoffa obliczyć prądy w obwodzie.
a)
Dane:
Odp. ,
Zad. 4
Wyznaczyć rozpływy prądów w obwodzie. Sporządzić bilans mocy.
a)
Dane:
Odp. , , , , ,
, ,
Zad. 5
Narysować wykres wektorowy dla obwodu.
a)
Zad. 6
Obliczyć prądy w obwodach stosując metodę:
a) potencjałów węzłowych
Dane:
Odp. , ,
b) metodę oczkową
Dane:
Odp. , , ,
Zad. 7
Stosując metodę Thevenina wyznaczyć prąd w obwodzie.
Dane:
Odp.
Zad. 8
Obliczyć prądy i bilans mocy w obwodzie.
a)
Dane:
Odp. , , , , , , .
Zad. 9
Wyeliminować sprzężenia w obwodzie.
a)
Odp.
Zad. 10
Obliczyć rozpływy prądów w obwodzie, napięcia na cewkach sprzężonych oraz sporządzić bilans mocy.
Dane:
- , , ,
Odp. , , , , , , , Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle S_{źr}=(319,35+j802,76)\, VA}
Zad. 11
Obliczyć moduły prądów liniowych odbiornika trójfazowego przedstawionego na rysunku.
Dane:
Odp. , ,
Zad. 12
Wyznaczyć opis stanowy obwodu.
Dane:
Odp.
Zad. 13
Wyznaczyć i narysować przebieg w stanie nieustalonym po przełączeniu w obwodzie.
Dane:
Odp.
Zad. 14
Określić oraz narysować przebieg prądu oraz napięcia kondensatora w stanie nieustalonym po załączeniu wyłącznika. Kondensator był wstępnie naładowany do napięcia .
Dane:
Odp.
Zad. 15
Wyznaczyć transmitancje napięciowe obwodu oraz charakterystyki częstotliwościowe.
a)
Dane:
Odp.
Zad. 16
Wyznaczyć transmitancję napięciową oraz odpowiedź impulsową obwodu.
a)
Dane:
Odp.
Zad. 17
Wyznaczyć opis admitancyjny obwodu
a)
Odp.
Zad. 18
Obliczyć impedancję wejściową dla obwodów
a)
Odp.
- Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle Z_{we}(s)=\frac{s{R_ź}^2C_1}{1+s^2{R_ź}^2C_1C_2}}
b)
Odp.
Zad. 19
W temperaturze koncentracja swobodnych elektronów w płytce krzemowej jest równa Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle n_{i0} = 1,5·10^{16} m^{-3}} . Ile razy wzrośnie koncentracja ładunku swobodnego, jeżeli temperatura wzrośnie o . Dane: szerokość pasma zabronionego , w jest Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle 4,99·10^{28}} atomów krzemu, stała Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle k = 1,38·10^{-23} J/K} .
Odp.
Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle 1,17·10^{5}} razy.
Zad. 20
Stała dyfuzji elektronów w temperaturze dla krzemu jest równa Parser nie mógł rozpoznać (błąd składni): {\displaystyle D_n = 35·10^{-4} m^2s^{-1}} , a czas życia nośników . Obliczyć drogę dyfuzji.
Odp.
0,592 mm
Zad. 21
Dla tranzystora bipolarnego przy i rezystancja , . obliczyć wartości parametrów , u modelujących zjawisko Earlyego.
Odp.
Zad. 22
Dla układu zasilania tranzystora bipolarnego przedstawionego na rysunku wyznaczyć współczynniki stabilizacji punktu pracy. Dane: , , , , , , , .
Zad. 23
Wyznaczyć funkcję zależności nachylenia charakterystyki bramkowej tranzystora unipolarnego od prądu drenu
Zad. 24
Ile razy zmieni się wzmocnienie napięciowe układu, jeżeli zamkniemy styki wyłącznika W.