TTS Moduł 5: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 607: | Linia 607: | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M5_Slajd39.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M5_Slajd39.png]] | ||
|valign="top"|Procesy dopasowania realizowane pokazanymi na rysunku obwodami „C” i „D” zaczynają się pojemnością równoległą <math>C_R\,</math> tak dobraną, aby susceptancja <math>b_R(C_R)\,</math> przesunęła impedancję do punktu „C” lub do punktu „D”, oba na okręgu r=1. W punkcie „C” reaktancja <math>x_C>1</math>, w punkcie „D” reaktancja <math>x_D<1</math>. Proces dopasowania kończy się kompensacją tej reaktancji przez dodaną reaktancję szeregową <math>x_S\,</math> , pojemnościową w przypadku „C”, indukcyjną w przypadku „D”. | |valign="top"|Procesy dopasowania realizowane pokazanymi na rysunku obwodami „C” i „D” zaczynają się pojemnością równoległą <math>C_R\,</math> tak dobraną, aby susceptancja <math>b_R(C_R)\,</math> przesunęła impedancję do punktu „C” lub do punktu „D”, oba na okręgu r=1. W punkcie „C” reaktancja <math>x_C>1</math>, w punkcie „D” reaktancja <math>x_D<1</math>. Proces dopasowania kończy się kompensacją tej reaktancji przez dodaną reaktancję szeregową <math>x_S\,</math> , pojemnościową w przypadku „C”, indukcyjną w przypadku „D”. | ||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M5_Slajd40.png]] | |||
|valign="top"|Technologia planarna wykonania kondensatorów C i indukcyjności L pozwala na ich prace nawet w pasmie fal milimetrowych. Wprawdzie ich obwód zastępczy jest dość złożony, co utrudnia obliczenia, ale obwody dopasowujące wykorzystujące te elementy mogą być realizowane. Z poprzedniego wykładu wiemy, że proste w realizacji odcinki prowadnic falowych zwartych lub rozwartych na końcu mogą tworzyć elementy zachowujące się jak pojemność, lub indukcyjność. Można także wykorzystać je jako elementy transformujące dopasowywaną impedancje do stanu, w którym dopasowanie może być prostszym zabiegiem. | |||
Rozpoczniemy od przypomnienia operacji transformacji. Impedancja <math>z_L\,</math> transformuje się wzdłuż prowadnicy zgodnie z równaniem transformacji impedancji, co pokazano na rysunku. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M5_Slajd41.png]] | |||
|valign="top"|Po odsunięcia się od obciążenia o odległość <math>l_I\,</math> znaleźliśmy się w punkcie „I”, w którym <math>r_I=1</math>. Teraz po skompensowaniu reaktancji <math>x_I>0</math> możemy znaleźć się w punkcie O. Obwód pokazany jako <math>I_1\,</math> realizuje kompensację przez dodanie szeregowej, ujemnej reaktancji (pojemnościowej) <math>x_S(C_S)\,</math>. |