TTS Moduł 10: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 1: | Linia 1: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd1. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd1.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"| | ||
Linia 8: | Linia 8: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd2. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd2.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"| | ||
Linia 16: | Linia 16: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd3. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd3.png]] | ||
|valign="top"|Aby możliwe było zrozumienie zasady działania półprzewodnikowych źródeł światła potrzebna jest pewna wiedza o zjawiskach fizycznych zachodzących wewnątrz tych przyrządów. Zacznijmy więc od omówienia tych zjawisk. | |valign="top"|Aby możliwe było zrozumienie zasady działania półprzewodnikowych źródeł światła potrzebna jest pewna wiedza o zjawiskach fizycznych zachodzących wewnątrz tych przyrządów. Zacznijmy więc od omówienia tych zjawisk. | ||
Linia 30: | Linia 30: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd4. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd4.png]] | ||
|valign="top"|Do tej pory zajmowaliśmy się jednym atomem w ośrodku. Jednak w typowym układzie jest ich wiele. W ośrodku o dwóch poziomach energetycznych, w stanie równowagi termicznej część atomów ośrodka <math>N_1\,</math> przyjmuje energię <math>E_1\,</math>, a część <math>N_2\,</math> energię <math>E_2\,</math>. Stosunek <math>N_2\,</math> do <math>N_1\,</math> określa zależność nazywana rozkładem Boltzman’a. Z rozkładu tego wynika, że na wyższym poziomie energetycznym w stanie równowagi znajduje się mniej atomów niż na poziomie o niższej energii. Ponadto im większa jest różnica energii pomiędzy poziomami tym mniej atomów znajduje się na wyższym poziomie energetycznym. | |valign="top"|Do tej pory zajmowaliśmy się jednym atomem w ośrodku. Jednak w typowym układzie jest ich wiele. W ośrodku o dwóch poziomach energetycznych, w stanie równowagi termicznej część atomów ośrodka <math>N_1\,</math> przyjmuje energię <math>E_1\,</math>, a część <math>N_2\,</math> energię <math>E_2\,</math>. Stosunek <math>N_2\,</math> do <math>N_1\,</math> określa zależność nazywana rozkładem Boltzman’a. Z rozkładu tego wynika, że na wyższym poziomie energetycznym w stanie równowagi znajduje się mniej atomów niż na poziomie o niższej energii. Ponadto im większa jest różnica energii pomiędzy poziomami tym mniej atomów znajduje się na wyższym poziomie energetycznym. | ||
Linia 42: | Linia 42: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd5. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd5.png]] | ||
|valign="top"|Dogodnym ośrodkiem, który możemy wykorzystać do budowy źródła światła jest materiał półprzewodnika, zaś konstrukcją, która to umożliwia jest złącze p-n. W półprzewodniku nośniki: elektrony i dziury nie mogą przyjmować dowolnych energii. Istnieje bowiem w nim zakres energii zabronionych dla nośników nazywany przerwą zabronioną. Energie większe niż energie przerwy zabronionej nazywamy pasmem przewodnictwa, a granicę pomiędzy przerwą zabronioną a pasmem przewodnictwa oznaczamy przez <math>E_C\,</math>. Zakres energii leżący poniżej przerwy zabronionej, a granicę pomiędzy tymi zakresami oznaczamy przez <math>E_V\,</math>. Elektrony i dziury w półprzewodniku mogą przyjmować tylko energie z pasm: przewodnictwa i walencyjnego. Po zetknięciu ze sobą dwóch obszarów półprzewodnika o przeciwnych typach domieszkowania na ich styku powstaje bariera potencjału, która uniemożliwia swobodny przepływ nadmiarowych nośników pomiędzy tymi obszarami. W obszarze typu „n” mamy więc niemal same elektrony, w obszarze typu „p” niemal same dziury (rys.a). | |valign="top"|Dogodnym ośrodkiem, który możemy wykorzystać do budowy źródła światła jest materiał półprzewodnika, zaś konstrukcją, która to umożliwia jest złącze p-n. W półprzewodniku nośniki: elektrony i dziury nie mogą przyjmować dowolnych energii. Istnieje bowiem w nim zakres energii zabronionych dla nośników nazywany przerwą zabronioną. Energie większe niż energie przerwy zabronionej nazywamy pasmem przewodnictwa, a granicę pomiędzy przerwą zabronioną a pasmem przewodnictwa oznaczamy przez <math>E_C\,</math>. Zakres energii leżący poniżej przerwy zabronionej, a granicę pomiędzy tymi zakresami oznaczamy przez <math>E_V\,</math>. Elektrony i dziury w półprzewodniku mogą przyjmować tylko energie z pasm: przewodnictwa i walencyjnego. Po zetknięciu ze sobą dwóch obszarów półprzewodnika o przeciwnych typach domieszkowania na ich styku powstaje bariera potencjału, która uniemożliwia swobodny przepływ nadmiarowych nośników pomiędzy tymi obszarami. W obszarze typu „n” mamy więc niemal same elektrony, w obszarze typu „p” niemal same dziury (rys.a). | ||
Linia 56: | Linia 56: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd6. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd6.png]] | ||
|valign="top"|Złącza p-n produkujące światło nazwano diodami LED (od słów ''Light Emitting Diode''). | |valign="top"|Złącza p-n produkujące światło nazwano diodami LED (od słów ''Light Emitting Diode''). | ||
Linia 74: | Linia 74: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd7. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd7.png]] | ||
|valign="top"|Aby zbudować laser półprzewodnikowy potrzebne są dwa elementy: ośrodek aktywny (wzmacniający) i pętla sprzężenia zwrotnego. | |valign="top"|Aby zbudować laser półprzewodnikowy potrzebne są dwa elementy: ośrodek aktywny (wzmacniający) i pętla sprzężenia zwrotnego. | ||
Linia 97: | Linia 97: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd8. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd8.png]] | ||
|valign="top"|Krokiem naprzód w konstrukcji laserów było użycie siatki Bragga jako selektywnego zwierciadła na brzegach struktury. | |valign="top"|Krokiem naprzód w konstrukcji laserów było użycie siatki Bragga jako selektywnego zwierciadła na brzegach struktury. | ||
Linia 109: | Linia 109: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd9. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd9.png]] | ||
|valign="top"|Przedstawiony laser DBR mimo olbrzymiej zalety, jaką jest praca jednomodowa, nie wykorzystuje w sposób optymalny całej objętości układu. Jego znaczna część użyta jest do wytworzenia selektywnych zwierciadeł. Stąd tylko część układu pracuje jako układ aktywny. Jego możliwości dostarczania energii są więc ograniczone jego rozmiarami. Rozwinięciem struktury lasera DBR, które jest pozbawione tej cechy jest laser z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym – laser DFB (ang. ''Distributed Feed-Back''). W tym laserze siatka Bragga wytworzona jest na całej długości lasera. Jednocześnie cała długość tworzy układ aktywny. Taka konstrukcja w sposób naturalny generuje 2 mody. Gdy rozsuniemy siatkę pomiędzy połowami lasera o <math>\frac{1}{4}\,</math> stałej siatki, wtedy jeden mod wygasa. Otrzymujemy laser jednomodowy o większej mocy wyjściowej. | |valign="top"|Przedstawiony laser DBR mimo olbrzymiej zalety, jaką jest praca jednomodowa, nie wykorzystuje w sposób optymalny całej objętości układu. Jego znaczna część użyta jest do wytworzenia selektywnych zwierciadeł. Stąd tylko część układu pracuje jako układ aktywny. Jego możliwości dostarczania energii są więc ograniczone jego rozmiarami. Rozwinięciem struktury lasera DBR, które jest pozbawione tej cechy jest laser z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym – laser DFB (ang. ''Distributed Feed-Back''). W tym laserze siatka Bragga wytworzona jest na całej długości lasera. Jednocześnie cała długość tworzy układ aktywny. Taka konstrukcja w sposób naturalny generuje 2 mody. Gdy rozsuniemy siatkę pomiędzy połowami lasera o <math>\frac{1}{4}\,</math> stałej siatki, wtedy jeden mod wygasa. Otrzymujemy laser jednomodowy o większej mocy wyjściowej. | ||
Linia 117: | Linia 117: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd10. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd10.png]] | ||
|valign="top"|Jednym z istotnych zjawisk wpływających na pracę lasera jest chirping czyli migotanie lasera. Okazuje się bowiem, że zmiana koncentracji nośników w półprzewodniku zmienia jego współczynnik odbicia. W laserze ta zmiana koncentracji nośników w laserze wywoływana jest przez prądu zasilania. Zmiana współczynnika załamania materiału jest równoznaczna ze zmianą drogi optycznej w materiale. Przy stałych rozmiarach przyrządu zmienia się wtedy ilość połówek długości fali, jakie się w nim mieszczą. A to przecież nic innego jak warunek fazowy rezonatora Fabry-Perot. Jest to jednocześnie warunek całkowitego odbicia reflektora Bragga. Widzimy więc, że zmiana prądu płynącego prze laser zmienia długość fali generowanej przez laser. | |valign="top"|Jednym z istotnych zjawisk wpływających na pracę lasera jest chirping czyli migotanie lasera. Okazuje się bowiem, że zmiana koncentracji nośników w półprzewodniku zmienia jego współczynnik odbicia. W laserze ta zmiana koncentracji nośników w laserze wywoływana jest przez prądu zasilania. Zmiana współczynnika załamania materiału jest równoznaczna ze zmianą drogi optycznej w materiale. Przy stałych rozmiarach przyrządu zmienia się wtedy ilość połówek długości fali, jakie się w nim mieszczą. A to przecież nic innego jak warunek fazowy rezonatora Fabry-Perot. Jest to jednocześnie warunek całkowitego odbicia reflektora Bragga. Widzimy więc, że zmiana prądu płynącego prze laser zmienia długość fali generowanej przez laser. | ||
Linia 129: | Linia 129: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd11. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd11.png]] | ||
|valign="top"|Stosując lub kupując laser półprzewodnikowy należy pamiętać o jego podstawowych parametrach. Te parametry to: | |valign="top"|Stosując lub kupując laser półprzewodnikowy należy pamiętać o jego podstawowych parametrach. Te parametry to: | ||
Linia 144: | Linia 144: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd12. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd12.png]] | ||
|valign="top"|W telekomunikacyjnych łączach optycznych stosuje się niemal wyłącznie modulację intensywności. Oznacza to, że informacja zakodowana jest w wartości lub zmianie poziomu mocy optycznej transmitowanej przez łącze. | |valign="top"|W telekomunikacyjnych łączach optycznych stosuje się niemal wyłącznie modulację intensywności. Oznacza to, że informacja zakodowana jest w wartości lub zmianie poziomu mocy optycznej transmitowanej przez łącze. | ||
Linia 164: | Linia 164: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd13. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd13.png]] | ||
|valign="top"|Modulacja bezpośrednia jest najprostszym i najtańszym sposobem modulacji mocy optycznej. Polega ona na wykorzystaniu zależności mocy wyjściowej lasera od prądu przez ten laser płynącego. Charakterystyka P(I) lasera powyżej prądu progowego charakteryzuje się dobrą liniowością. Oznacza to, że w przypadku modulacji analogowej notujemy jedynie niewielki wpływ zniekształceń nieliniowych, które są głównym źródłem problemów przy projektowaniu systemów CATV. Stosowanie analogowej modulacji bezpośredniej jest więc w tych systemach jak najbardziej uzasadnione. | |valign="top"|Modulacja bezpośrednia jest najprostszym i najtańszym sposobem modulacji mocy optycznej. Polega ona na wykorzystaniu zależności mocy wyjściowej lasera od prądu przez ten laser płynącego. Charakterystyka P(I) lasera powyżej prądu progowego charakteryzuje się dobrą liniowością. Oznacza to, że w przypadku modulacji analogowej notujemy jedynie niewielki wpływ zniekształceń nieliniowych, które są głównym źródłem problemów przy projektowaniu systemów CATV. Stosowanie analogowej modulacji bezpośredniej jest więc w tych systemach jak najbardziej uzasadnione. | ||
Linia 176: | Linia 176: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd14. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd14.png]] | ||
|valign="top"|Istotnym z punktu widzenia użytkowania lasera zagadnieniem jest też impedancja elektrycznego wejścia lasera. Laser z punktu widzenia sygnału elektrycznego jest spolaryzowaną w kierunku przewodzenia półprzewodnikową diodą p-n. Tak jak w przypadku każdej diody p-n jego rezystancja złączowa jest w przewodzeniu mała. W przypadku laserów telekomunikacyjnych jest to kilka omów (np. <math>5.6\Omega\,</math>). Sygnał zaś, ze względu na dużą częstotliwość, doprowadzany jest do lasera liniami mikrofalowymi o impedancji <math>50\Omega\,</math>. Na styku dwóch tak różnych impedancji dochodziłoby do odbicia sygnału w stronę źródła. Aby temu zapobiec konstruuje się obwód dopasowujący impedancję lasera do impedancji prowadnicy. Taki obwód dopasowujący nosi nazwę drivera. | |valign="top"|Istotnym z punktu widzenia użytkowania lasera zagadnieniem jest też impedancja elektrycznego wejścia lasera. Laser z punktu widzenia sygnału elektrycznego jest spolaryzowaną w kierunku przewodzenia półprzewodnikową diodą p-n. Tak jak w przypadku każdej diody p-n jego rezystancja złączowa jest w przewodzeniu mała. W przypadku laserów telekomunikacyjnych jest to kilka omów (np. <math>5.6\Omega\,</math>). Sygnał zaś, ze względu na dużą częstotliwość, doprowadzany jest do lasera liniami mikrofalowymi o impedancji <math>50\Omega\,</math>. Na styku dwóch tak różnych impedancji dochodziłoby do odbicia sygnału w stronę źródła. Aby temu zapobiec konstruuje się obwód dopasowujący impedancję lasera do impedancji prowadnicy. Taki obwód dopasowujący nosi nazwę drivera. | ||
Linia 186: | Linia 186: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd15. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd15.png]] | ||
|valign="top"|Innym sposobem realizacji procesu modulacji mocy optycznej jest modulacja zewnętrzna. Laser staje się wtedy źródłem światła o stałej mocy. Proces modulacji odbywa się poza laserem w zewnętrznym przyrządzie o regulowanej transmisji – modulatorze zewnętrznym. Dwa najbardziej popularne modulatory to modulator elektrooptyczny Mach-Zender'a i modulator elektroabsorpcyjny. | |valign="top"|Innym sposobem realizacji procesu modulacji mocy optycznej jest modulacja zewnętrzna. Laser staje się wtedy źródłem światła o stałej mocy. Proces modulacji odbywa się poza laserem w zewnętrznym przyrządzie o regulowanej transmisji – modulatorze zewnętrznym. Dwa najbardziej popularne modulatory to modulator elektrooptyczny Mach-Zender'a i modulator elektroabsorpcyjny. | ||
Linia 198: | Linia 198: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd16. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd16.png]] | ||
|valign="top"|Wykorzystując komórkę Pockels’a możemy zbudować interferometr Mach-Zender'a. W interferometrze Mach-Zender'a moc wejściowa dzielona jest na dwie równe części i przesyłana w kierunku wyjścia przyrządu dwoma gałęziami. W jednej z gałęzi umieszczona jest komórka Pockels’a. Przed opuszczeniem przyrządu sygnały z obu gałęzi są sumowane. Efekt sumowania zależy od różnicy faz pomiędzy sumowanymi falami świetlnymi. W skrajnym przypadku fazy sygnałów po przejściu przez gałęzie interferometru są jednakowe. Na sumatorze zachodzi wtedy interferencja konstruktywna – sygnał wyjściowy jest sumą sygnałów z poszczególnych gałęzi. W przeciwnym przypadku, gdy różnica faz wynosi <math>180^\circ\,</math> otrzymujemy interferencje destruktywną – dwie fale wygaszają się – moc sygnału wyjściowego jest równa zero. Dla różnicy faz o wartości pośredniej otrzymujemy otrzymujemy pośrednie wartości mocy wyjściowej. | |valign="top"|Wykorzystując komórkę Pockels’a możemy zbudować interferometr Mach-Zender'a. W interferometrze Mach-Zender'a moc wejściowa dzielona jest na dwie równe części i przesyłana w kierunku wyjścia przyrządu dwoma gałęziami. W jednej z gałęzi umieszczona jest komórka Pockels’a. Przed opuszczeniem przyrządu sygnały z obu gałęzi są sumowane. Efekt sumowania zależy od różnicy faz pomiędzy sumowanymi falami świetlnymi. W skrajnym przypadku fazy sygnałów po przejściu przez gałęzie interferometru są jednakowe. Na sumatorze zachodzi wtedy interferencja konstruktywna – sygnał wyjściowy jest sumą sygnałów z poszczególnych gałęzi. W przeciwnym przypadku, gdy różnica faz wynosi <math>180^\circ\,</math> otrzymujemy interferencje destruktywną – dwie fale wygaszają się – moc sygnału wyjściowego jest równa zero. Dla różnicy faz o wartości pośredniej otrzymujemy otrzymujemy pośrednie wartości mocy wyjściowej. | ||
Linia 210: | Linia 210: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd17. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd17.png]] | ||
|valign="top"|Rozważmy teraz transmisję mocy przez modulator Mach-Zender'a w zależności od przesunięcia fazowego w ramionach modulatora, a co za tym idzie od przyłożonego napięcia. Na rys.a przedstawiono schematycznie podział sygnału fali elektromagnetycznej na dwie równe części oraz przesunięcie fazowe, jakiego doznaje sygnał optyczny w każdej z nich. Dla uproszczenia rachunków założono, że przesunięcie występuje w obu ramionach i posiada jednakową wartość, lecz przeciwny zwrot. Przy takich założeniach transmisja przez interferometr dana jest górną zależnością. | |valign="top"|Rozważmy teraz transmisję mocy przez modulator Mach-Zender'a w zależności od przesunięcia fazowego w ramionach modulatora, a co za tym idzie od przyłożonego napięcia. Na rys.a przedstawiono schematycznie podział sygnału fali elektromagnetycznej na dwie równe części oraz przesunięcie fazowe, jakiego doznaje sygnał optyczny w każdej z nich. Dla uproszczenia rachunków założono, że przesunięcie występuje w obu ramionach i posiada jednakową wartość, lecz przeciwny zwrot. Przy takich założeniach transmisja przez interferometr dana jest górną zależnością. | ||
Linia 222: | Linia 222: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd18. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd18.png]] | ||
|valign="top"|Podstawowe parametry modulatora Mach-Zender’a to: | |valign="top"|Podstawowe parametry modulatora Mach-Zender’a to: | ||
Linia 240: | Linia 240: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd19. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd19.png]] | ||
|valign="top"|Drugim rozwiązaniem pozwalającym na zewnętrzną modulację mocy optycznej jest użycie modulatora elektroabsorpcyjnego. Modulator ten zbudowany jest z cienkich warstw półprzewodników o różnych szerokościach przerwy zabronionej. Na styku tych warstw tworzy się bariera potencjału. Gdy szerokość warstw zaczyna być porównywalna z długością fali De Broilie’a dla elektronu, wtedy elektron zaczyna wykazywać silne własności falowe – pojawiają się efekty kwantowe. | |valign="top"|Drugim rozwiązaniem pozwalającym na zewnętrzną modulację mocy optycznej jest użycie modulatora elektroabsorpcyjnego. Modulator ten zbudowany jest z cienkich warstw półprzewodników o różnych szerokościach przerwy zabronionej. Na styku tych warstw tworzy się bariera potencjału. Gdy szerokość warstw zaczyna być porównywalna z długością fali De Broilie’a dla elektronu, wtedy elektron zaczyna wykazywać silne własności falowe – pojawiają się efekty kwantowe. | ||
Linia 252: | Linia 252: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd20. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd20.png]] | ||
|valign="top"|Niestety drobną wadą modulatora elektroabsorpcyjnego jest problem z poziomem minimalnej możliwej do osiągnięcia transmisji przez ten przyrząd. Otóż moc wprowadzona do materiału absorbującego zanika w nim ekspotencjalnie. Oznacza to, że nie jest możliwe uzyskanie wartości transmisji równej zero. Ponadto poprawienie (zmniejszenie) minimalnej transmisji oznacza zwiększenie długości, czyli wzrost kosztu, zmniejszenie szerokości pasma pracy i zwiększenie strat. Oznacza to, że w praktyce większe wartości transmisji, a w konsekwencji większe wartości współczynnika ekstynkcji są niejako wpisane w naturę tego przyrządu. | |valign="top"|Niestety drobną wadą modulatora elektroabsorpcyjnego jest problem z poziomem minimalnej możliwej do osiągnięcia transmisji przez ten przyrząd. Otóż moc wprowadzona do materiału absorbującego zanika w nim ekspotencjalnie. Oznacza to, że nie jest możliwe uzyskanie wartości transmisji równej zero. Ponadto poprawienie (zmniejszenie) minimalnej transmisji oznacza zwiększenie długości, czyli wzrost kosztu, zmniejszenie szerokości pasma pracy i zwiększenie strat. Oznacza to, że w praktyce większe wartości transmisji, a w konsekwencji większe wartości współczynnika ekstynkcji są niejako wpisane w naturę tego przyrządu. | ||
Linia 264: | Linia 264: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd21. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd21.png]] | ||
|valign="top"|Na rysunku przedstawiono budowę przykładowego nadajnika optycznego z modulacją bezpośrednią firmy Furokawa. Składa się on z diody laserowej (często dodatkowo umieszcza się fotodiodę do pomiaru mocy wyjściowej lasera w celu stabilizacji mocy), termistor do pomiaru temperatury i chłodnicę Peltier’a do stabilizacji temperatury. Światło wprowadzane jest do światłowodu za pomocą soczewki. Pomiędzy soczewką, a laserem umieszczono izolator optyczny w celu wyeliminowania odbić światła od elementów toru optycznego. | |valign="top"|Na rysunku przedstawiono budowę przykładowego nadajnika optycznego z modulacją bezpośrednią firmy Furokawa. Składa się on z diody laserowej (często dodatkowo umieszcza się fotodiodę do pomiaru mocy wyjściowej lasera w celu stabilizacji mocy), termistor do pomiaru temperatury i chłodnicę Peltier’a do stabilizacji temperatury. Światło wprowadzane jest do światłowodu za pomocą soczewki. Pomiędzy soczewką, a laserem umieszczono izolator optyczny w celu wyeliminowania odbić światła od elementów toru optycznego. | ||
Linia 272: | Linia 272: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd22. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd22.png]] | ||
|valign="top"|W niniejszym module przedstawiono źródła światła i modulatory będące składnikami nadajników optycznych. Obecnie wykorzystywane w telekomunikacji źródła światła to diody LED i lasery półprzewodnikowe. | |valign="top"|W niniejszym module przedstawiono źródła światła i modulatory będące składnikami nadajników optycznych. Obecnie wykorzystywane w telekomunikacji źródła światła to diody LED i lasery półprzewodnikowe. | ||
Wersja z 12:07, 11 sie 2006
![]() |
![]() |