TTS Moduł 11: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 64: | Linia 64: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd6.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd6.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|'''Wzmacniacz światłowodowy EDFA''' (ang. – ''Erbium Doped Fiber Amplifier'') skonstruowano w oparciu o właściwości światłowodu kwarcowego, domieszkowanego erbem. Kilkanaście metrów takiego światłowodu wprowadzono do toru transmisyjnego. Schemat ideowy układu wzmacniacza pokazano na rysunku. | ||
Sygnały pomp (pompami są półprzewodnikowe lasery na 1480 nm) doprowadzone są selektywnymi sprzęgaczami, zwykle jest to jedna pompa, w niektórych rozwiązaniach dwie. Sygnał optyczny pompy pobudza atomy erbu, przez co światłowód staje się aktywny. Sygnał wzmacniany w trakcie transmisji przez aktywny światłowód pobiera moc od pobudzonych atomów erbu, który w ten sposób zostaje wzmocniony. | |||
Optyczny izolator umieszczony jest po to, aby usunąć wpływ odbić. Filtr optyczny wyjściowy usuwa szczątkowy sygnał pompy, zmniejsza poziom szumów emisji spontanicznej. | |||
|} | |} | ||
Linia 71: | Linia 75: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd7.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd7.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Charakterystyki absorpcji promieniowania przez rdzeń domieszkowanego erbem światłowodu, a charakterystyki wzmocnienia <math>G(\lambda)</math> nieco różnią się, co umożliwia zastosowanie „pompy” na długości fali 1480 nm. Domieszkowanie rdzenia światłowodu dodatkowymi jonami, jak <math>Al_2O_3</math>, <math>Ge_2O_3</math>, <math>P_2O_5</math> powoduje niewielkie przesunięcia charakterystyki wzmocnienia. | ||
Wzmocnienie wzmacniacza EDFA zależy od długości aktywnego światłowodu oraz od mocy pompy optycznej. W zależności od przeznaczenia – wzmacniacz mocy lub wzmacniacz niskoszumny – optymalizuje się moc pompy i długość światłowodu. | |||
Wzmocnienie wzmacniacza rośnie z długością światłowodu, ale od pewnej długości rosną szybko szumy. Mniejsze szumy uzyskuje się gdy kierunki propagacji sygnałów wzmacnianego i pompy są takie same. | |||
Moc nasycenia i wzmocnienie rosną z mocą pompy. W praktycznych rozwiązaniach moc pompy wynosi kilkadziesiąt mW. Opisano eksperyment z mocą pompy powyżej 1 W i mocą nasycenia powyżej 200 mW. | |||
Jednoczesna transmisja różnych długości fali (multipleksacja WDM) nakazuje ostrożne dobieranie poziomów mocy kanałów, aby uniknąć przesłuchów. | |||
|} | |} | ||
Linia 78: | Linia 90: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd8.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd8.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Fotodetektor jest sercem układu odbiornika optycznego. Odbiornik optyczny zamienia energię sygnału optycznego, czyli modulowanego strumienia fotonów na energię prądu elektrycznego, na strumień elektronów odtwarzający możliwie wiernie strumień docierających do niego fotonów. Wykorzystuje się w tym procesie dobrze znane zjawisko generacji w materiale półprzewodnikowym par elektron-dziura po absorpcji fotonu. Nośniki te biorą następnie udział w przewodzeniu prądu. Czas życia nośników elektrycznych winien być możliwie krótki, aby po przerwaniu dopływu fotonów ustał przepływ prądu. | ||
|} | |} | ||
Linia 85: | Linia 97: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd9.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd9.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Na rysunku a) pokazano mechanizm emisji fotoelektronowej. Kwant promieniowania o odpowiednio dużej energii <math>hf\,</math> zostaje zaabsorbowany w metalu/półprzewodniku i elektron, który uzyskał przyrost energii <math>hf\,</math> pokonuje pracę wyjścia i przechodzi do próżni. Należy zauważyć, że bariera potencjału na granicy metal-próżnia, czy też półprzewodnik-próżnia jest wysoka i zwykle oświetlanie metalu promieniowaniem widzialnym nie pozwala elektronom na pokonanie tej bariery. | ||
Na rysunku b) pokazano mechanizm efektu fotoelektrycznego wewnętrznego. Pochłonięcie fotonu o odpowiednio dużej energii powoduje przejście elektronu do pasma przewodnictwa i generację pary elektron – dziura. Energia <math>E_g\,</math> oddzielająca pasmo walencyjne od pasma przewodzenia jest różna dla różnych materiałów. Dla wielu z nich energia ta jest na tyle mała, że fotony promieniowania podczerwonego są w stanie doprowadzić do generacji par elektron-dziura. | |||
|} | |} | ||
Linia 92: | Linia 107: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd10.png]] | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M11_Slajd10.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"|Generacja par elektron-dziura może mieć miejsce wtedy, gdy foton został pochłonięty. Proces absorpcji fotonów zachodzi w ten sposób, że wartość mocy optycznej <math>P_{OPT}</math> maleje wykładniczo na długości <math>x\,</math> do <math>P_{OPT}exp(-\alpha x)</math>, gdzie <math>\alpha\,</math> jest współczynnikiem absorpcji. Moc pochłonięta wynosi wtedy <math>P_{OPT}[1-exp(-\alpha x)]</math>. Wartość współczynnika absorpcji <math>\alpha\,</math> zależy od długości fali <math>\lambda\,</math> i od szerokości przerwy energetycznej <math>E_g\,</math> materiału. | ||
Na rysunku pokazano zależność współczynnika absorpcji od długości fali dla różnych materiałów, z których wykonywane są półprzewodnikowe przyrządy wykorzystywane przez optoelektronikę. | |||
|} | |} | ||
Wersja z 10:55, 9 sie 2006
![]() |