PEE Zadania egzaminacyjne: Różnice pomiędzy wersjami

Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Ksiwek (dyskusja | edycje)
Nie podano opisu zmian
m Zastępowanie tekstu – „\</math>” na „\ </math>”
 
(Nie pokazano 7 wersji utworzonych przez 2 użytkowników)
Linia 5: Linia 5:
Zad. 1
Zad. 1


Obliczyć prąd <math>I_x\,</math> w obwodzie metodą Thevenina
Obliczyć prąd <math>I_x\ </math>, w obwodzie metodą Thevenina


[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_1.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_1.jpg]]


Dane: <math>i(t)=5\sqrt{2}sin(\omega t+90^\circ)\,\;\;</math>, <math>e(t)=10\sqrt{2}sin(\omega t-90^\circ)\,\;\;</math>, <math>R=50\Omega\;\;</math>, <math>\omega L=3\Omega</math>     
Dane: <math>i(t)=5\sqrt{2}sin(\omega t+90^\circ)\quad</math>, <math>e(t)=10\sqrt{2}sin(\omega t-90^\circ)\quad</math>, <math>R=50\Omega\quad</math>, <math>\omega L=3\Omega</math>     


<hr width="100%">
<hr width="100%">
Linia 19: Linia 19:
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_2.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_2.jpg]]


Dane: <math>e_1(t)=50V\,</math>, <math>e_2(t)=60\sqrt{2}sin(\omega t+90^\circ)\,</math>, <math>R=10\Omega</math>, <math>C=0,1F\,</math>     
Dane: <math>e_1(t)=50V\ </math>,, <math>e_2(t)=60\sqrt{2}sin(\omega t+90^\circ)\ </math>,, <math>R=10\Omega</math>, <math>C=0,1F\ </math>,      


<hr width="100%">
<hr width="100%">
Linia 29: Linia 29:
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_3.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_3.jpg]]


Dane: <math>R=5\Omega</math>, <math>L=1H\,</math>, <math>C=0,5F\,</math>     
Dane: <math>R=5\Omega</math>, <math>L=1H\ </math>,, <math>C=0,5F\ </math>,      


<hr width="100%">
<hr width="100%">


Zad. 4


Wykazać, że kondunktancja dynamiczna <math>g_D</math> diody półprzewodnikowej jest wprost proporcjonalna do natężenia prądu przewodzenia <math>I_D</math>.
<hr width="100%">
Zad. 5
Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: <math>U_{CC}</math>, <math>R_1</math>, <math>R_2</math>, <math>R_3</math>, <math>R_4</math>, <math>r_{BE}</math>, <math>\beta</math>, <math>k_f \to 0</math>, <math>r_{CE} \to \inf</math>.
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes1_5.jpg]]
<hr width="100%">




Linia 52: Linia 65:
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes2_2.jpg]]   
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes2_2.jpg]]   


Dane: <math>X_{L1}=\omega L_1=40\Omega</math>, <math>X_{L2}=\omega L_2=20\Omega</math>, <math>X_M=\omega M=20\Omega</math>, <math>R=20\Omega</math>, <math>|U_f|=100V\, </math>       
Dane: <math>X_{L1}=\omega L_1=40\Omega</math>, <math>X_{L2}=\omega L_2=20\Omega</math>, <math>X_M=\omega M=20\Omega</math>, <math>R=20\Omega</math>, <math>|U_f|=100V\ </math>       


<hr width="100%">
<hr width="100%">
Linia 62: Linia 75:
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes2_3.jpg]]
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes2_3.jpg]]


Dane: <math>R_1=30\Omega</math>, <math>R_2=20\Omega</math>, <math>C=0,01F\,</math>, <math>e_1(t)=200V\,</math>, <math>e_2(t)=15V\,</math>      
Dane: <math>R_1=30\Omega</math>, <math>R_2=20\Omega</math>, <math>C=0,01F\ </math>,, <math>e_1(t)=200V\ </math>,, <math>e_2(t)=15V\ </math>,     
 
<hr width="100%">
 
Zad. 4
 
Wykazać, że rezystancja wejściowa tranzystora bipolarnego <math>r_{BE}</math>, jeżeli temperatura złącza jest stała, jest odwrotnie proporcjonalna do natężenia prądu bazy.
 
<hr width="100%">
 
Zad. 5
 
Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: <math>U_{CC}</math>, <math>R_1</math>, <math>R_2</math>, <math>R_3</math>, <math>S</math>, <math>r_{DS}</math>.
 
[[Grafika:PEE_Zadania_egz_zes2_5.jpg]]


<hr width="100%">
<hr width="100%">

Aktualna wersja na dzień 12:02, 5 wrz 2023

Zadania egzaminacyjne

Zestaw 1

Zad. 1

Obliczyć prąd Ix , w obwodzie metodą Thevenina

Dane: i(t)=52sin(ωt+90), e(t)=102sin(ωt90), R=50Ω, ωL=3Ω


Zad. 2

Obliczyć przebieg uC(t) w stanie nieustalonym po przełączeniu w obwodzie

Dane: e1(t)=50V ,, e2(t)=602sin(ωt+90) ,, R=10Ω, C=0,1F ,


Zad. 3

Określić transmitancję napięciową, odpowiedź impulsową i charakterystyki częstotliwościowe

Dane: R=5Ω, L=1H ,, C=0,5F ,


Zad. 4

Wykazać, że kondunktancja dynamiczna gD diody półprzewodnikowej jest wprost proporcjonalna do natężenia prądu przewodzenia ID.


Zad. 5

Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: UCC, R1, R2, R3, R4, rBE, β, kf0, rCEinf.




Zestaw 2

Zad. 1

Narysować wykres wektorowy dla obwodu


Zad. 2

Obliczyć moce elementów w obwodzie i sporządzić bilans mocy.

Dane: XL1=ωL1=40Ω, XL2=ωL2=20Ω, XM=ωM=20Ω, R=20Ω, |Uf|=100V 


Zad. 3

Obliczyć przebieg uC(t) w stanie nieustalonym po przełączeniu w obwodzie

Dane: R1=30Ω, R2=20Ω, C=0,01F ,, e1(t)=200V ,, e2(t)=15V ,


Zad. 4

Wykazać, że rezystancja wejściowa tranzystora bipolarnego rBE, jeżeli temperatura złącza jest stała, jest odwrotnie proporcjonalna do natężenia prądu bazy.


Zad. 5

Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe w układzie wzmacniacza jak na rysunku. Dane: UCC, R1, R2, R3, S, rDS.