TTS Moduł 10: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
|||
(Nie pokazano 13 wersji utworzonych przez 2 użytkowników) | |||
Linia 1: | Linia 1: | ||
__TOC__ | |||
= Wykład = | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd1. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd1.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"| | ||
Linia 8: | Linia 10: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd2. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd2.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"| | ||
Linia 16: | Linia 18: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd3. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd3.png]] | ||
|valign="top"|Aby możliwe było zrozumienie zasady działania półprzewodnikowych źródeł światła potrzebna jest pewna wiedza o zjawiskach fizycznych zachodzących wewnątrz tych przyrządów. Zacznijmy więc od omówienia tych zjawisk. | |valign="top"|Aby możliwe było zrozumienie zasady działania półprzewodnikowych źródeł światła potrzebna jest pewna wiedza o zjawiskach fizycznych zachodzących wewnątrz tych przyrządów. Zacznijmy więc od omówienia tych zjawisk. | ||
Linia 30: | Linia 32: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd4. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd4.png]] | ||
|valign="top"|Do tej pory zajmowaliśmy się jednym atomem w ośrodku. Jednak w typowym układzie jest ich wiele. W ośrodku o dwóch poziomach energetycznych, w stanie równowagi termicznej część atomów ośrodka <math>N_1\,</math> przyjmuje energię <math>E_1\,</math>, a część <math>N_2\,</math> energię <math>E_2\,</math>. Stosunek <math>N_2\,</math> do <math>N_1\,</math> określa zależność nazywana rozkładem Boltzman’a. Z rozkładu tego wynika, że na wyższym poziomie energetycznym w stanie równowagi znajduje się mniej atomów niż na poziomie o niższej energii. Ponadto im większa jest różnica energii pomiędzy poziomami tym mniej atomów znajduje się na wyższym poziomie energetycznym. | |valign="top"|Do tej pory zajmowaliśmy się jednym atomem w ośrodku. Jednak w typowym układzie jest ich wiele. W ośrodku o dwóch poziomach energetycznych, w stanie równowagi termicznej część atomów ośrodka <math>N_1\,</math> przyjmuje energię <math>E_1\,</math>, a część <math>N_2\,</math> energię <math>E_2\,</math>. Stosunek <math>N_2\,</math> do <math>N_1\,</math> określa zależność nazywana rozkładem Boltzman’a. Z rozkładu tego wynika, że na wyższym poziomie energetycznym w stanie równowagi znajduje się mniej atomów niż na poziomie o niższej energii. Ponadto im większa jest różnica energii pomiędzy poziomami tym mniej atomów znajduje się na wyższym poziomie energetycznym. | ||
Linia 42: | Linia 44: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd5. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd5.png]] | ||
|valign="top"|Dogodnym ośrodkiem, który możemy wykorzystać do budowy źródła światła jest materiał półprzewodnika, zaś konstrukcją, która to umożliwia jest złącze p-n. W półprzewodniku nośniki: elektrony i dziury nie mogą przyjmować dowolnych energii. Istnieje bowiem w nim zakres energii zabronionych dla nośników nazywany przerwą zabronioną. Energie większe niż energie przerwy zabronionej nazywamy pasmem przewodnictwa, a granicę pomiędzy przerwą zabronioną a pasmem przewodnictwa oznaczamy przez <math>E_C\,</math>. Zakres energii leżący poniżej przerwy zabronionej, a granicę pomiędzy tymi zakresami oznaczamy przez <math>E_V\,</math>. Elektrony i dziury w półprzewodniku mogą przyjmować tylko energie z pasm: przewodnictwa i walencyjnego. Po zetknięciu ze sobą dwóch obszarów półprzewodnika o przeciwnych typach domieszkowania na ich styku powstaje bariera potencjału, która uniemożliwia swobodny przepływ nadmiarowych nośników pomiędzy tymi obszarami. W obszarze typu „n” mamy więc niemal same elektrony, w obszarze typu „p” niemal same dziury (rys.a). | |valign="top"|Dogodnym ośrodkiem, który możemy wykorzystać do budowy źródła światła jest materiał półprzewodnika, zaś konstrukcją, która to umożliwia jest złącze p-n. W półprzewodniku nośniki: elektrony i dziury nie mogą przyjmować dowolnych energii. Istnieje bowiem w nim zakres energii zabronionych dla nośników nazywany przerwą zabronioną. Energie większe niż energie przerwy zabronionej nazywamy pasmem przewodnictwa, a granicę pomiędzy przerwą zabronioną a pasmem przewodnictwa oznaczamy przez <math>E_C\,</math>. Zakres energii leżący poniżej przerwy zabronionej, a granicę pomiędzy tymi zakresami oznaczamy przez <math>E_V\,</math>. Elektrony i dziury w półprzewodniku mogą przyjmować tylko energie z pasm: przewodnictwa i walencyjnego. Po zetknięciu ze sobą dwóch obszarów półprzewodnika o przeciwnych typach domieszkowania na ich styku powstaje bariera potencjału, która uniemożliwia swobodny przepływ nadmiarowych nośników pomiędzy tymi obszarami. W obszarze typu „n” mamy więc niemal same elektrony, w obszarze typu „p” niemal same dziury (rys.a). | ||
Linia 97: | Linia 99: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd8. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd8.png]] | ||
|valign="top"|Krokiem naprzód w konstrukcji laserów było użycie siatki Bragga jako selektywnego zwierciadła na brzegach struktury. | |valign="top"|Krokiem naprzód w konstrukcji laserów było użycie siatki Bragga jako selektywnego zwierciadła na brzegach struktury. | ||
Linia 129: | Linia 131: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd11. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd11.png]] | ||
|valign="top"|Stosując lub kupując laser półprzewodnikowy należy pamiętać o jego podstawowych parametrach. Te parametry to: | |valign="top"|Stosując lub kupując laser półprzewodnikowy należy pamiętać o jego podstawowych parametrach. Te parametry to: | ||
Linia 144: | Linia 146: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd12. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd12.png]] | ||
|valign="top"|W telekomunikacyjnych łączach optycznych stosuje się niemal wyłącznie modulację intensywności. Oznacza to, że informacja zakodowana jest w wartości lub zmianie poziomu mocy optycznej transmitowanej przez łącze. | |valign="top"|W telekomunikacyjnych łączach optycznych stosuje się niemal wyłącznie modulację intensywności. Oznacza to, że informacja zakodowana jest w wartości lub zmianie poziomu mocy optycznej transmitowanej przez łącze. | ||
Linia 164: | Linia 166: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd13. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd13.png]] | ||
|valign="top"|Modulacja bezpośrednia jest najprostszym i najtańszym sposobem modulacji mocy optycznej. Polega ona na wykorzystaniu zależności mocy wyjściowej lasera od prądu przez ten laser płynącego. Charakterystyka P(I) lasera powyżej prądu progowego charakteryzuje się dobrą liniowością. Oznacza to, że w przypadku modulacji analogowej notujemy jedynie niewielki wpływ zniekształceń nieliniowych, które są głównym źródłem problemów przy projektowaniu systemów CATV. Stosowanie analogowej modulacji bezpośredniej jest więc w tych systemach jak najbardziej uzasadnione. | |valign="top"|Modulacja bezpośrednia jest najprostszym i najtańszym sposobem modulacji mocy optycznej. Polega ona na wykorzystaniu zależności mocy wyjściowej lasera od prądu przez ten laser płynącego. Charakterystyka P(I) lasera powyżej prądu progowego charakteryzuje się dobrą liniowością. Oznacza to, że w przypadku modulacji analogowej notujemy jedynie niewielki wpływ zniekształceń nieliniowych, które są głównym źródłem problemów przy projektowaniu systemów CATV. Stosowanie analogowej modulacji bezpośredniej jest więc w tych systemach jak najbardziej uzasadnione. | ||
Linia 176: | Linia 178: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd14. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd14.png]] | ||
|valign="top"|Istotnym z punktu widzenia użytkowania lasera zagadnieniem jest też impedancja elektrycznego wejścia lasera. Laser z punktu widzenia sygnału elektrycznego jest spolaryzowaną w kierunku przewodzenia półprzewodnikową diodą p-n. Tak jak w przypadku każdej diody p-n jego rezystancja złączowa jest w przewodzeniu mała. W przypadku laserów telekomunikacyjnych jest to kilka omów (np. <math>5.6\Omega\,</math>). Sygnał zaś, ze względu na dużą częstotliwość, doprowadzany jest do lasera liniami mikrofalowymi o impedancji <math>50\Omega\,</math>. Na styku dwóch tak różnych impedancji dochodziłoby do odbicia sygnału w stronę źródła. Aby temu zapobiec konstruuje się obwód dopasowujący impedancję lasera do impedancji prowadnicy. Taki obwód dopasowujący nosi nazwę drivera. | |valign="top"|Istotnym z punktu widzenia użytkowania lasera zagadnieniem jest też impedancja elektrycznego wejścia lasera. Laser z punktu widzenia sygnału elektrycznego jest spolaryzowaną w kierunku przewodzenia półprzewodnikową diodą p-n. Tak jak w przypadku każdej diody p-n jego rezystancja złączowa jest w przewodzeniu mała. W przypadku laserów telekomunikacyjnych jest to kilka omów (np. <math>5.6\Omega\,</math>). Sygnał zaś, ze względu na dużą częstotliwość, doprowadzany jest do lasera liniami mikrofalowymi o impedancji <math>50\Omega\,</math>. Na styku dwóch tak różnych impedancji dochodziłoby do odbicia sygnału w stronę źródła. Aby temu zapobiec konstruuje się obwód dopasowujący impedancję lasera do impedancji prowadnicy. Taki obwód dopasowujący nosi nazwę drivera. | ||
Linia 198: | Linia 200: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd16. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd16.png]] | ||
|valign="top"|Wykorzystując komórkę Pockels’a możemy zbudować interferometr Mach-Zender'a. W interferometrze Mach-Zender'a moc wejściowa dzielona jest na dwie równe części i przesyłana w kierunku wyjścia przyrządu dwoma gałęziami. W jednej z gałęzi umieszczona jest komórka Pockels’a. Przed opuszczeniem przyrządu sygnały z obu gałęzi są sumowane. Efekt sumowania zależy od różnicy faz pomiędzy sumowanymi falami świetlnymi. W skrajnym przypadku fazy sygnałów po przejściu przez gałęzie interferometru są jednakowe. Na sumatorze zachodzi wtedy interferencja konstruktywna – sygnał wyjściowy jest sumą sygnałów z poszczególnych gałęzi. W przeciwnym przypadku, gdy różnica faz wynosi <math>180^\circ\,</math> otrzymujemy interferencje destruktywną – dwie fale wygaszają się – moc sygnału wyjściowego jest równa zero. Dla różnicy faz o wartości pośredniej otrzymujemy otrzymujemy pośrednie wartości mocy wyjściowej. | |valign="top"|Wykorzystując komórkę Pockels’a możemy zbudować interferometr Mach-Zender'a. W interferometrze Mach-Zender'a moc wejściowa dzielona jest na dwie równe części i przesyłana w kierunku wyjścia przyrządu dwoma gałęziami. W jednej z gałęzi umieszczona jest komórka Pockels’a. Przed opuszczeniem przyrządu sygnały z obu gałęzi są sumowane. Efekt sumowania zależy od różnicy faz pomiędzy sumowanymi falami świetlnymi. W skrajnym przypadku fazy sygnałów po przejściu przez gałęzie interferometru są jednakowe. Na sumatorze zachodzi wtedy interferencja konstruktywna – sygnał wyjściowy jest sumą sygnałów z poszczególnych gałęzi. W przeciwnym przypadku, gdy różnica faz wynosi <math>180^\circ\,</math> otrzymujemy interferencje destruktywną – dwie fale wygaszają się – moc sygnału wyjściowego jest równa zero. Dla różnicy faz o wartości pośredniej otrzymujemy otrzymujemy pośrednie wartości mocy wyjściowej. | ||
Linia 264: | Linia 266: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd21. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd21.png]] | ||
|valign="top"|Na rysunku przedstawiono budowę przykładowego nadajnika optycznego z modulacją bezpośrednią firmy Furokawa. Składa się on z diody laserowej (często dodatkowo umieszcza się fotodiodę do pomiaru mocy wyjściowej lasera w celu stabilizacji mocy), termistor do pomiaru temperatury i chłodnicę Peltier’a do stabilizacji temperatury. Światło wprowadzane jest do światłowodu za pomocą soczewki. Pomiędzy soczewką, a laserem umieszczono izolator optyczny w celu wyeliminowania odbić światła od elementów toru optycznego. | |valign="top"|Na rysunku przedstawiono budowę przykładowego nadajnika optycznego z modulacją bezpośrednią firmy Furokawa. Składa się on z diody laserowej (często dodatkowo umieszcza się fotodiodę do pomiaru mocy wyjściowej lasera w celu stabilizacji mocy), termistor do pomiaru temperatury i chłodnicę Peltier’a do stabilizacji temperatury. Światło wprowadzane jest do światłowodu za pomocą soczewki. Pomiędzy soczewką, a laserem umieszczono izolator optyczny w celu wyeliminowania odbić światła od elementów toru optycznego. | ||
Linia 272: | Linia 274: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd22. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd22.png]] | ||
|valign="top"|W niniejszym module przedstawiono źródła światła i modulatory będące składnikami nadajników optycznych. Obecnie wykorzystywane w telekomunikacji źródła światła to diody LED i lasery półprzewodnikowe. | |valign="top"|W niniejszym module przedstawiono źródła światła i modulatory będące składnikami nadajników optycznych. Obecnie wykorzystywane w telekomunikacji źródła światła to diody LED i lasery półprzewodnikowe. | ||
Linia 290: | Linia 292: | ||
|} | |} | ||
<hr width="100%"> | |||
= Pytania sprawdzające = | |||
(jeśli potrafisz na nie odpowiedzieć, to znaczy, że opanowałeś/aś materiał wykładu) | |||
#Wyjaśnij pojęcia: absorpcji promieniowania, emisji spontanicznej, emisji wymuszonej. | |||
#Wyjaśnij pojęcie inwersji obsadzeń. | |||
#Budowa i zasada działania diody LED. | |||
#Omów warunki zachodzenia akcji laserowej. | |||
#Budowa i zasada działania lasera z rezonatorem Fabry-Perot. | |||
#Budowa i zasada działania laserów DBR i DFB. | |||
#Omów zjawisko migotania lasera. | |||
#Podaj i omów rodzaje modulacji. | |||
#Budowa i zasada działania modulatora Mach-Zender'a. | |||
#Budowa i zasada działania modulatora elektro-absorpcyjnego. | |||
<hr width="100%"> | |||
= Słownik = | |||
*'''3dB pasmo pracy''' – <math>f_{3dB}\,</math> – parametr określający częstotliwość, dla jakiej współczynnik modulacji spada o 3dB. | |||
*'''Absorpcja promieniowania''' - zjawisko pochłaniania fotonów przez ośrodek wiążące się z przekazaniem niesionej przez fotony energii atomom ośrodka. | |||
*'''Dioda LED''' – dioda świecąca (ang. ''Light Emitting Diode''). | |||
*'''Efekt elektro-absorpcyjny''' – zmiana współczynnika absorpcji ośrodka pod wpływem pola elektrycznego. | |||
*'''Efekt elektro-optyczny''' – zmiana współczynnika załamania ośrodka pod wpływem pola elektrycznego. | |||
*'''Emisja spontaniczna''' – zjawisko spontanicznego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem różnicy energii między stanami przez wypromieniowanie fotonu. | |||
*'''Emisja wymuszona''' – zjawisko rezonansowego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem energii przez wypromieniowanie fotonu. Przejście to wymuszone jest przez oddziałujący z atomem foton. Wypromieniowany foton jest identyczny z fotonem wymuszającym. | |||
*'''Inwersja obsadzeń''' – rozkład obsadzeń poziomów energetycznych przez atomy ośrodka, w którym to rozkładzie więcej atomów przyjmuje wyższy stan energetyczny. | |||
*'''Laser DBR''' – laser z selektywnymi zwierciadłami Bragga (ang. ''Distributed Bragg Reflector'') | |||
*'''Laser DFB''' – laser z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym (ang. ''Distributed Feed-Back'') | |||
*'''Laser FP ''' – laser z rezonatorem Fabry-Perot. | |||
*'''Migotanie lasera''' – efekt zmiany długości fali generowanej przez laser przy zmianie prądu płynącego przez strukturę (ang. ''chirping''). | |||
*'''Modulacja bezpośrednia''' – modulacja mocy optycznej generowanej przez laser realizowana przez zmianę prądu lasera. | |||
*'''Modulacja zewnętrzna''' – modulacja mocy optycznje realizowana przez zmianę tłumienia elementu umieszczonego za laserem. | |||
*'''Napięcie włączenia modulatora M-Z''' – <math>V_{ON}\,</math> – napięcie pierwszego maksimum na charakterystyce transmisji modulatora M-Z. Przy równych ramionach wynosi ono zwykle <math>0\,V\,</math>. | |||
*'''Napięcie przełączania modulatora M-Z''' – <math>V_{\pi}\,</math> - różnica napięć między maksimum a minimum transmisji modulatora M-Z. W łączach cyfrowych określa różnicę napięć pomiędzy stanami logicznymi. | |||
*'''Prąd progowy''' – minimalna wartość prądu przy której zachodzi akcja laserowa. | |||
*'''Rezonator Fabry-Perot''' – układ równoległych zwierciadeł po obu stronach ośrodka aktywnego w laserze. | |||
*'''Straty modulatora''' – L – straty liczone między złączem wyjściowym, a złączem wejściowym modulatora. Modulatory mają zwykle wejście i wyjście wykonane w postaci światłowodów włóknistych. Jednocześnie sam przyrząd może być wykonany w technologii planarnej (np. modulator M-Z). Sprzężenia: na wejściu ze światłowodu włóknistego do planarnego i na wyjściu ze światłowodu planarnego do włóknistego są główną przyczyną strat modulatora M-Z. Straty modulatorów M-Z wynoszą zwykle 5÷6 dB. | |||
*'''Warunki akcji laserowej''' – warunek fazowy i warunek amplitudowy akcji laserowej. | |||
*'''Współczynnik exstynkcji''' – <math>R_{EXT}\,</math> – jest to stosunek maksymalnej do minimalnej transmisji mocy przez modulator. | |||
<hr width="100%"> | |||
= Bibliografia = | |||
#J. Siuzdak. Wstęp do współczesnej telekomunikacji światłowodowej, WKŁ, Warszawa, 1999. | |||
#K. Holejko. Optyczne sieci telekomunikacyjne, Polsoft, Poznań, 1998. | |||
#M. Szustakowski. Elementy techniki światłowodowej, WNT, Warszawa, 1992. | |||
#K. Perlicki. Pomiary w optycznych systemach telekomunikacyjnych, WKŁ, Warszawa, 2002. | |||
#A. Majewski. Podstawy techniki światłowodowej, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 1997. | |||
<hr width="100%"> | <hr width="100%"> |
Aktualna wersja na dzień 08:43, 18 wrz 2006
Wykład
![]() |
![]() |
Pytania sprawdzające
(jeśli potrafisz na nie odpowiedzieć, to znaczy, że opanowałeś/aś materiał wykładu)
- Wyjaśnij pojęcia: absorpcji promieniowania, emisji spontanicznej, emisji wymuszonej.
- Wyjaśnij pojęcie inwersji obsadzeń.
- Budowa i zasada działania diody LED.
- Omów warunki zachodzenia akcji laserowej.
- Budowa i zasada działania lasera z rezonatorem Fabry-Perot.
- Budowa i zasada działania laserów DBR i DFB.
- Omów zjawisko migotania lasera.
- Podaj i omów rodzaje modulacji.
- Budowa i zasada działania modulatora Mach-Zender'a.
- Budowa i zasada działania modulatora elektro-absorpcyjnego.
Słownik
- 3dB pasmo pracy – – parametr określający częstotliwość, dla jakiej współczynnik modulacji spada o 3dB.
- Absorpcja promieniowania - zjawisko pochłaniania fotonów przez ośrodek wiążące się z przekazaniem niesionej przez fotony energii atomom ośrodka.
- Dioda LED – dioda świecąca (ang. Light Emitting Diode).
- Efekt elektro-absorpcyjny – zmiana współczynnika absorpcji ośrodka pod wpływem pola elektrycznego.
- Efekt elektro-optyczny – zmiana współczynnika załamania ośrodka pod wpływem pola elektrycznego.
- Emisja spontaniczna – zjawisko spontanicznego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem różnicy energii między stanami przez wypromieniowanie fotonu.
- Emisja wymuszona – zjawisko rezonansowego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem energii przez wypromieniowanie fotonu. Przejście to wymuszone jest przez oddziałujący z atomem foton. Wypromieniowany foton jest identyczny z fotonem wymuszającym.
- Inwersja obsadzeń – rozkład obsadzeń poziomów energetycznych przez atomy ośrodka, w którym to rozkładzie więcej atomów przyjmuje wyższy stan energetyczny.
- Laser DBR – laser z selektywnymi zwierciadłami Bragga (ang. Distributed Bragg Reflector)
- Laser DFB – laser z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym (ang. Distributed Feed-Back)
- Laser FP – laser z rezonatorem Fabry-Perot.
- Migotanie lasera – efekt zmiany długości fali generowanej przez laser przy zmianie prądu płynącego przez strukturę (ang. chirping).
- Modulacja bezpośrednia – modulacja mocy optycznej generowanej przez laser realizowana przez zmianę prądu lasera.
- Modulacja zewnętrzna – modulacja mocy optycznje realizowana przez zmianę tłumienia elementu umieszczonego za laserem.
- Napięcie włączenia modulatora M-Z – – napięcie pierwszego maksimum na charakterystyce transmisji modulatora M-Z. Przy równych ramionach wynosi ono zwykle .
- Napięcie przełączania modulatora M-Z – - różnica napięć między maksimum a minimum transmisji modulatora M-Z. W łączach cyfrowych określa różnicę napięć pomiędzy stanami logicznymi.
- Prąd progowy – minimalna wartość prądu przy której zachodzi akcja laserowa.
- Rezonator Fabry-Perot – układ równoległych zwierciadeł po obu stronach ośrodka aktywnego w laserze.
- Straty modulatora – L – straty liczone między złączem wyjściowym, a złączem wejściowym modulatora. Modulatory mają zwykle wejście i wyjście wykonane w postaci światłowodów włóknistych. Jednocześnie sam przyrząd może być wykonany w technologii planarnej (np. modulator M-Z). Sprzężenia: na wejściu ze światłowodu włóknistego do planarnego i na wyjściu ze światłowodu planarnego do włóknistego są główną przyczyną strat modulatora M-Z. Straty modulatorów M-Z wynoszą zwykle 5÷6 dB.
- Warunki akcji laserowej – warunek fazowy i warunek amplitudowy akcji laserowej.
- Współczynnik exstynkcji – – jest to stosunek maksymalnej do minimalnej transmisji mocy przez modulator.
Bibliografia
- J. Siuzdak. Wstęp do współczesnej telekomunikacji światłowodowej, WKŁ, Warszawa, 1999.
- K. Holejko. Optyczne sieci telekomunikacyjne, Polsoft, Poznań, 1998.
- M. Szustakowski. Elementy techniki światłowodowej, WNT, Warszawa, 1992.
- K. Perlicki. Pomiary w optycznych systemach telekomunikacyjnych, WKŁ, Warszawa, 2002.
- A. Majewski. Podstawy techniki światłowodowej, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 1997.