TTS Moduł 10: Różnice pomiędzy wersjami
Z Studia Informatyczne
Przejdź do nawigacjiPrzejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
|||
(Nie pokazano 16 wersji utworzonych przez 2 użytkowników) | |||
Linia 1: | Linia 1: | ||
__TOC__ | |||
= Wykład = | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd1. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd1.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"| | ||
Linia 8: | Linia 10: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd2. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd2.png]] | ||
|valign="top"| | |valign="top"| | ||
Linia 16: | Linia 18: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd3. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd3.png]] | ||
|valign="top"|Aby możliwe było zrozumienie zasady działania półprzewodnikowych źródeł światła potrzebna jest pewna wiedza o zjawiskach fizycznych zachodzących wewnątrz tych przyrządów. Zacznijmy więc od omówienia tych zjawisk. | |valign="top"|Aby możliwe było zrozumienie zasady działania półprzewodnikowych źródeł światła potrzebna jest pewna wiedza o zjawiskach fizycznych zachodzących wewnątrz tych przyrządów. Zacznijmy więc od omówienia tych zjawisk. | ||
Linia 30: | Linia 32: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd4. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd4.png]] | ||
|valign="top"|Do tej pory zajmowaliśmy się jednym atomem w ośrodku. Jednak w typowym układzie jest ich wiele. W ośrodku o dwóch poziomach energetycznych, w stanie równowagi termicznej część atomów ośrodka <math>N_1\,</math> przyjmuje energię <math>E_1\,</math>, a część <math>N_2\,</math> energię <math>E_2\,</math>. Stosunek <math>N_2\,</math> do <math>N_1\,</math> określa zależność nazywana rozkładem Boltzman’a. Z rozkładu tego wynika, że na wyższym poziomie energetycznym w stanie równowagi znajduje się mniej atomów niż na poziomie o niższej energii. Ponadto im większa jest różnica energii pomiędzy poziomami tym mniej atomów znajduje się na wyższym poziomie energetycznym. | |valign="top"|Do tej pory zajmowaliśmy się jednym atomem w ośrodku. Jednak w typowym układzie jest ich wiele. W ośrodku o dwóch poziomach energetycznych, w stanie równowagi termicznej część atomów ośrodka <math>N_1\,</math> przyjmuje energię <math>E_1\,</math>, a część <math>N_2\,</math> energię <math>E_2\,</math>. Stosunek <math>N_2\,</math> do <math>N_1\,</math> określa zależność nazywana rozkładem Boltzman’a. Z rozkładu tego wynika, że na wyższym poziomie energetycznym w stanie równowagi znajduje się mniej atomów niż na poziomie o niższej energii. Ponadto im większa jest różnica energii pomiędzy poziomami tym mniej atomów znajduje się na wyższym poziomie energetycznym. | ||
Linia 42: | Linia 44: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd5. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd5.png]] | ||
|valign="top"|Dogodnym ośrodkiem, który możemy wykorzystać do budowy źródła światła jest materiał półprzewodnika, zaś konstrukcją, która to umożliwia jest złącze p-n. W półprzewodniku nośniki: elektrony i dziury nie mogą przyjmować dowolnych energii. Istnieje bowiem w nim zakres energii zabronionych dla nośników nazywany przerwą zabronioną. Energie większe niż energie przerwy zabronionej nazywamy pasmem przewodnictwa, a granicę pomiędzy przerwą zabronioną a pasmem przewodnictwa oznaczamy przez <math>E_C\,</math>. Zakres energii leżący poniżej przerwy zabronionej, a granicę pomiędzy tymi zakresami oznaczamy przez <math>E_V\,</math>. Elektrony i dziury w półprzewodniku mogą przyjmować tylko energie z pasm: przewodnictwa i walencyjnego. Po zetknięciu ze sobą dwóch obszarów półprzewodnika o przeciwnych typach domieszkowania na ich styku powstaje bariera potencjału, która uniemożliwia swobodny przepływ nadmiarowych nośników pomiędzy tymi obszarami. W obszarze typu „n” mamy więc niemal same elektrony, w obszarze typu „p” niemal same dziury (rys.a). | |valign="top"|Dogodnym ośrodkiem, który możemy wykorzystać do budowy źródła światła jest materiał półprzewodnika, zaś konstrukcją, która to umożliwia jest złącze p-n. W półprzewodniku nośniki: elektrony i dziury nie mogą przyjmować dowolnych energii. Istnieje bowiem w nim zakres energii zabronionych dla nośników nazywany przerwą zabronioną. Energie większe niż energie przerwy zabronionej nazywamy pasmem przewodnictwa, a granicę pomiędzy przerwą zabronioną a pasmem przewodnictwa oznaczamy przez <math>E_C\,</math>. Zakres energii leżący poniżej przerwy zabronionej, a granicę pomiędzy tymi zakresami oznaczamy przez <math>E_V\,</math>. Elektrony i dziury w półprzewodniku mogą przyjmować tylko energie z pasm: przewodnictwa i walencyjnego. Po zetknięciu ze sobą dwóch obszarów półprzewodnika o przeciwnych typach domieszkowania na ich styku powstaje bariera potencjału, która uniemożliwia swobodny przepływ nadmiarowych nośników pomiędzy tymi obszarami. W obszarze typu „n” mamy więc niemal same elektrony, w obszarze typu „p” niemal same dziury (rys.a). | ||
Linia 97: | Linia 99: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd8. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd8.png]] | ||
|valign="top"|Krokiem naprzód w konstrukcji laserów było użycie siatki Bragga jako selektywnego zwierciadła na brzegach struktury. | |valign="top"|Krokiem naprzód w konstrukcji laserów było użycie siatki Bragga jako selektywnego zwierciadła na brzegach struktury. | ||
Linia 129: | Linia 131: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd11. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd11.png]] | ||
|valign="top"|Stosując lub kupując laser półprzewodnikowy należy pamiętać o jego podstawowych parametrach. Te parametry to: | |valign="top"|Stosując lub kupując laser półprzewodnikowy należy pamiętać o jego podstawowych parametrach. Te parametry to: | ||
Linia 144: | Linia 146: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd12. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd12.png]] | ||
|valign="top"|W telekomunikacyjnych łączach optycznych stosuje się niemal wyłącznie modulację intensywności. Oznacza to, że informacja zakodowana jest w wartości lub zmianie poziomu mocy optycznej transmitowanej przez łącze. | |valign="top"|W telekomunikacyjnych łączach optycznych stosuje się niemal wyłącznie modulację intensywności. Oznacza to, że informacja zakodowana jest w wartości lub zmianie poziomu mocy optycznej transmitowanej przez łącze. | ||
Linia 164: | Linia 166: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd13. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd13.png]] | ||
|valign="top"|Modulacja bezpośrednia jest najprostszym i najtańszym sposobem modulacji mocy optycznej. Polega ona na wykorzystaniu zależności mocy wyjściowej lasera od prądu przez ten laser płynącego. Charakterystyka P(I) lasera powyżej prądu progowego charakteryzuje się dobrą liniowością. Oznacza to, że w przypadku modulacji analogowej notujemy jedynie niewielki wpływ zniekształceń nieliniowych, które są głównym źródłem problemów przy projektowaniu systemów CATV. Stosowanie analogowej modulacji bezpośredniej jest więc w tych systemach jak najbardziej uzasadnione. | |valign="top"|Modulacja bezpośrednia jest najprostszym i najtańszym sposobem modulacji mocy optycznej. Polega ona na wykorzystaniu zależności mocy wyjściowej lasera od prądu przez ten laser płynącego. Charakterystyka P(I) lasera powyżej prądu progowego charakteryzuje się dobrą liniowością. Oznacza to, że w przypadku modulacji analogowej notujemy jedynie niewielki wpływ zniekształceń nieliniowych, które są głównym źródłem problemów przy projektowaniu systemów CATV. Stosowanie analogowej modulacji bezpośredniej jest więc w tych systemach jak najbardziej uzasadnione. | ||
Linia 176: | Linia 178: | ||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | {| border="0" cellpadding="4" width="100%" | ||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd14. | |width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd14.png]] | ||
|valign="top"|Istotnym z punktu widzenia użytkowania lasera zagadnieniem jest też impedancja elektrycznego wejścia lasera. Laser z punktu widzenia sygnału elektrycznego jest spolaryzowaną w kierunku przewodzenia półprzewodnikową diodą p-n. Tak jak w przypadku każdej diody p-n jego rezystancja złączowa jest w przewodzeniu mała. W przypadku laserów telekomunikacyjnych jest to kilka omów (np. <math>5.6\Omega\,</math>). Sygnał zaś, ze względu na dużą częstotliwość, doprowadzany jest do lasera liniami mikrofalowymi o impedancji <math>50\Omega\,</math>. Na styku dwóch tak różnych impedancji dochodziłoby do odbicia sygnału w stronę źródła. Aby temu zapobiec konstruuje się obwód dopasowujący impedancję lasera do impedancji prowadnicy. Taki obwód dopasowujący nosi nazwę drivera. | |valign="top"|Istotnym z punktu widzenia użytkowania lasera zagadnieniem jest też impedancja elektrycznego wejścia lasera. Laser z punktu widzenia sygnału elektrycznego jest spolaryzowaną w kierunku przewodzenia półprzewodnikową diodą p-n. Tak jak w przypadku każdej diody p-n jego rezystancja złączowa jest w przewodzeniu mała. W przypadku laserów telekomunikacyjnych jest to kilka omów (np. <math>5.6\Omega\,</math>). Sygnał zaś, ze względu na dużą częstotliwość, doprowadzany jest do lasera liniami mikrofalowymi o impedancji <math>50\Omega\,</math>. Na styku dwóch tak różnych impedancji dochodziłoby do odbicia sygnału w stronę źródła. Aby temu zapobiec konstruuje się obwód dopasowujący impedancję lasera do impedancji prowadnicy. Taki obwód dopasowujący nosi nazwę drivera. | ||
Linia 194: | Linia 196: | ||
|} | |} | ||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd16.png]] | |||
|valign="top"|Wykorzystując komórkę Pockels’a możemy zbudować interferometr Mach-Zender'a. W interferometrze Mach-Zender'a moc wejściowa dzielona jest na dwie równe części i przesyłana w kierunku wyjścia przyrządu dwoma gałęziami. W jednej z gałęzi umieszczona jest komórka Pockels’a. Przed opuszczeniem przyrządu sygnały z obu gałęzi są sumowane. Efekt sumowania zależy od różnicy faz pomiędzy sumowanymi falami świetlnymi. W skrajnym przypadku fazy sygnałów po przejściu przez gałęzie interferometru są jednakowe. Na sumatorze zachodzi wtedy interferencja konstruktywna – sygnał wyjściowy jest sumą sygnałów z poszczególnych gałęzi. W przeciwnym przypadku, gdy różnica faz wynosi <math>180^\circ\,</math> otrzymujemy interferencje destruktywną – dwie fale wygaszają się – moc sygnału wyjściowego jest równa zero. Dla różnicy faz o wartości pośredniej otrzymujemy otrzymujemy pośrednie wartości mocy wyjściowej. | |||
Jak widać istnieje możliwość kontroli transmisji światła przez przyrząd przy pomocy doprowadzonego napięcia – otrzymaliśmy modulator. | |||
Praktyczną realizacją modlatora Mach-Zender'a jest konstrukcja pokazana na rys.b. Wykorzystuje ona światłowód planarny zrealizowany na podłożu z niobianu litu. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd17.PNG]] | |||
|valign="top"|Rozważmy teraz transmisję mocy przez modulator Mach-Zender'a w zależności od przesunięcia fazowego w ramionach modulatora, a co za tym idzie od przyłożonego napięcia. Na rys.a przedstawiono schematycznie podział sygnału fali elektromagnetycznej na dwie równe części oraz przesunięcie fazowe, jakiego doznaje sygnał optyczny w każdej z nich. Dla uproszczenia rachunków założono, że przesunięcie występuje w obu ramionach i posiada jednakową wartość, lecz przeciwny zwrot. Przy takich założeniach transmisja przez interferometr dana jest górną zależnością. | |||
Aby można było opisać rzeczywisty element należy uwzględnić straty wnoszone przez modulator (transmisja przez modulator nigdy nie będzie równa jedności), oraz zależność efektywności modulacji od częstotliwości doprowadzonego sygnału (współczynnik głębokości modulacji zależny od częstotliwości <math>m(f)\,</math>). Otrzymujemy wtedy dolne wyrażenie, którego wykres przedstawiono na rys.b. | |||
Zaznaczone na rys.b punkty pokazują charakterystyczne napięcia pracy modulatora. Gdy modulator M-Z pracuje w punkcie A otrzymujemy modulator amplitudy doskonały do łączy analogowych. Praca pomiędzy punktami B i C to praca w trybie przełącznika – otrzymujemy przełącznik –modulator do łączy z transmisją cyfrową. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd18.PNG]] | |||
|valign="top"|Podstawowe parametry modulatora Mach-Zender’a to: | |||
* <math>V_{ON}\,</math> – napięcie włączenia – jest to napięcie pierwszego maksimum na charakterystyce transmisji modulatora. Przy równych ramionach wynosi ono zwykle 0V. | |||
* <math>V_{\pi}\,</math> – napięcie przełączenia modulatora – jest to różnica napięć między maksimum a minimum transmisji modulatora. W łączach cyfrowych określa różnicę napięć pomiędzy stanami logicznymi. | |||
* <math>L\,</math> – straty wnoszone przez modulator – są to straty liczone między złączem wyjściowym, a złączem wejściowym modulatora. Modulatory mają zwykle wejście i wyjście wykonane w postaci światłowodów włóknistych. Jednocześnie sam przyrząd wykonany jest w technologii planarnej. Sprzężenia: na wejściu ze światłowodu włóknistego do planarnego i na wyjściu ze światłowodu planarnego do włóknistego są główną przyczyną strat modulatora M-Z. Straty modulatorów M-Z wynoszą zwykle 5÷6 dB. | |||
* <math>f_{3dB}\,</math> – 3dB pasmo pracy – jest to parametr określający częstotliwość dla jakiej współczynnik modulacji modulatora M-Z spada o 3dB. | |||
* <math>R_{EXT}\,</math> – współczynnik ekstynkcji – jest to stosunek maksymalnej do minimalnej transmisji mocy przez modulator. Dla modulatorów M-Z mieści się on zwykle w przedziale 20÷30 dB. | |||
Modulatory Mach-Zender’a zapewniają znacznie większe pasmo pracy niż bezpośrednia modulacja lasera. Ograniczeniem pasma jest w ich przypadku geometria przyrządu i czas przelotu światła przez przyrząd. Dla wysokich częstotliwości stosuje się konstrukcje z falą bieżącą (rys.), które rozwiązują ten problem. Pasmo pracy modulatorów Mach-Zendera z falą bieżącą sięga 100 GHz. | |||
Głównym ograniczeniem stosowania modulatorów Mach-Zender'a jest brak zgodności technologicznej z pozostałymi elementami optoelktronicznymi. To sprawia, że nie jest możliwa integracja lasera i modulatora na jednym podłożu – w jednym układzie. Poza tym ograniczeniem modulatory Mach-Zender'a stanowią najbardziej popularny sposób rozwiązania problemów z ograniczeniami narzucanymi przez modulację bezpośrednią. Mają bowiem znacznie szersze pasmo, oraz nie występuje w nich efekt migotania lasera. Sprawia to, że są głównym typem modulatora stosowanym w łączach długodystansowych o dużej przepływności. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd19.PNG]] | |||
|valign="top"|Drugim rozwiązaniem pozwalającym na zewnętrzną modulację mocy optycznej jest użycie modulatora elektroabsorpcyjnego. Modulator ten zbudowany jest z cienkich warstw półprzewodników o różnych szerokościach przerwy zabronionej. Na styku tych warstw tworzy się bariera potencjału. Gdy szerokość warstw zaczyna być porównywalna z długością fali De Broilie’a dla elektronu, wtedy elektron zaczyna wykazywać silne własności falowe – pojawiają się efekty kwantowe. | |||
W jednorodnym półprzewodniku pasmo przewodnictwa jest powyżej przerwy zabronionej ciągłe. Oznacza to, że proces absorpcji może zachodzić dla szerokiego spektrum długości fali padających fotonów – szeroki jest bowiem zakres dostępnych dla elektronu energii. W omawianej strukturze warstw półprzewodnika jest inaczej. Pasmo przewodnictwa dzieli się na wąskie podpasma. Elektrony mogą przyjmować tylko energie z zakresu tych podpasm. Zamiast więc szerokiego zakresu pochłanianych długości fali otrzymujemy strukturę pochłaniającą selektywnie. Dodatkowo w takiej strukturze energia tych podpasm (a więc energia, czyli i długość fali światłą, jaką pochłania struktura) zależy od natężenia pola elektrycznego w półprzewodniku. Zmieniając natężenie pola elektrycznego zmieniamy długość fali światła, która jest pochłaniana przez przyrząd. Zaś gdy do struktury doprowadzimy stałą długość fali (taka właśnie sytuacja jest naturalna w łączach optycznych), wtedy zmiana natężenia pola elektrycznego powoduje zmianę transmisji przez modulator. | |||
Natężenie pola elektrycznego w modulatorze elektroabsorpcyjnym reguluje się tak jak w modulatorze M-Z czyli przy pomocy doprowadzonego do okładek napięcia. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd20.PNG]] | |||
|valign="top"|Niestety drobną wadą modulatora elektroabsorpcyjnego jest problem z poziomem minimalnej możliwej do osiągnięcia transmisji przez ten przyrząd. Otóż moc wprowadzona do materiału absorbującego zanika w nim ekspotencjalnie. Oznacza to, że nie jest możliwe uzyskanie wartości transmisji równej zero. Ponadto poprawienie (zmniejszenie) minimalnej transmisji oznacza zwiększenie długości, czyli wzrost kosztu, zmniejszenie szerokości pasma pracy i zwiększenie strat. Oznacza to, że w praktyce większe wartości transmisji, a w konsekwencji większe wartości współczynnika ekstynkcji są niejako wpisane w naturę tego przyrządu. | |||
Modulatory elektroabsorpcyjne mają w porównaniu z modulatorami Mach-Zender’a jedną zasadniczą zaletę. Jest nią możliwość wykonania modulatora i lasera w ramach tego samego zestawu procesów technologicznych na jednym chipie. Oznacza to możliwość integracji lasera z modulatorem i stworzenia scalonych – wielokanałowych nadajników do łączy DWDM. Dodatkową zaletą jest tu uniknięcie strat na połączeniu lasera z modulatorem, które w przypadku oddzielnych konstrukcji wynikają z przejść pomiędzy światłowodami planarnymi a włóknistymi. | |||
Modulatory elektroabsorpcyjne dają możliwość uzyskania dużych częstotliwości modulacji. Z łatwością osiąga się pasmo pracy przekraczające 10 GHz. Dla bardzo wysokich częstotliwości stosuje się konstrukcje z falą bieżącą. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd21.png]] | |||
|valign="top"|Na rysunku przedstawiono budowę przykładowego nadajnika optycznego z modulacją bezpośrednią firmy Furokawa. Składa się on z diody laserowej (często dodatkowo umieszcza się fotodiodę do pomiaru mocy wyjściowej lasera w celu stabilizacji mocy), termistor do pomiaru temperatury i chłodnicę Peltier’a do stabilizacji temperatury. Światło wprowadzane jest do światłowodu za pomocą soczewki. Pomiędzy soczewką, a laserem umieszczono izolator optyczny w celu wyeliminowania odbić światła od elementów toru optycznego. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
{| border="0" cellpadding="4" width="100%" | |||
|width="500px" valign="top"|[[Grafika:TTS_M10_Slajd22.png]] | |||
|valign="top"|W niniejszym module przedstawiono źródła światła i modulatory będące składnikami nadajników optycznych. Obecnie wykorzystywane w telekomunikacji źródła światła to diody LED i lasery półprzewodnikowe. | |||
Diody LED ze względu na szerokie spektrum generowanego światła, wąskie pasmo pracy i dużą rozbieżność produkowanej wiązki światła stosowane są głównie w krótkodystansowy łączach o malej przepływności opartych o światłowody wielomodowe – w łączach, w których ich parametry techniczne są często wystarczające, zaś ich niska cena jest znaczącym parametrem ekonomicznym. | |||
Najtańszym laserem półprzewodnikowym jest laser z rezonatorem Fabry-Perot. Charakteryzuje się on znacznie większym pasmem modulacji niż dioda LED. Niestety szerokość spektralna widma lasera jest znaczna, ze względu na jego pracę wielomodową. | |||
Znacznie lepszym technicznie rozwiązaniem jest zastosowanie lasera DBR lub DFB. Są to lasery jednomodowe – widmo ich sygnału wyjściowego jest bardzo wąskie. | |||
Najprostszym sposobem zapewnienia modulacji mocy optycznej jest w przypadku laserów modulacja bezpośrednia. Polega ona na modulowaniu prądu zasilającego diodę laserową, co przenosi się na zmiany mocy optycznej. Jednak to rozwiązanie sprawia, że nawet w przypadku stosowania laserów jednomodowych, szerokość spektralna sygnału wyjściowego jest znaczna ze względu na zjawisko migotania lasera. Ponadto pasmo modulacji bezpośrednie laserów w praktyce nie przekracza 10 GHz, | |||
Rozwiązanie tych problemów stanowi modulacja zewnętrzna. W takim rozwiązaniu laser stanowi tylko źródło światła o stałej mocy. Modulacja mocy optycznej odbywa się na zewnątrz lasera – w modulatorze. | |||
Obecnie najbardziej popularne konstrukcje modulatorów to modulator elektrooptyczny Mach-Zender'a i modulator elektroabsorpcyjny. Obie te konstrukcji w wersji z falą bieżącą pozwalają na uzyskanie pasma modulacji przekraczającego 100 GHz. Obie też pozbawione są wady, jaką jest migotanie lasera w przypadku stosowania modulacji bezpośredniej. Różnią się one technologią i tym, że modulator elektroabsorpcyjny można zintegrować z laserem tworząc jednolity nadajnik. | |||
Prace nad nowymi typami modulatorów i doskonalenie już istniejących nadal trwają. | |||
|} | |||
<hr width="100%"> | |||
= Pytania sprawdzające = | |||
(jeśli potrafisz na nie odpowiedzieć, to znaczy, że opanowałeś/aś materiał wykładu) | |||
#Wyjaśnij pojęcia: absorpcji promieniowania, emisji spontanicznej, emisji wymuszonej. | |||
#Wyjaśnij pojęcie inwersji obsadzeń. | |||
#Budowa i zasada działania diody LED. | |||
#Omów warunki zachodzenia akcji laserowej. | |||
#Budowa i zasada działania lasera z rezonatorem Fabry-Perot. | |||
#Budowa i zasada działania laserów DBR i DFB. | |||
#Omów zjawisko migotania lasera. | |||
#Podaj i omów rodzaje modulacji. | |||
#Budowa i zasada działania modulatora Mach-Zender'a. | |||
#Budowa i zasada działania modulatora elektro-absorpcyjnego. | |||
<hr width="100%"> | |||
= Słownik = | |||
*'''3dB pasmo pracy''' – <math>f_{3dB}\,</math> – parametr określający częstotliwość, dla jakiej współczynnik modulacji spada o 3dB. | |||
*'''Absorpcja promieniowania''' - zjawisko pochłaniania fotonów przez ośrodek wiążące się z przekazaniem niesionej przez fotony energii atomom ośrodka. | |||
*'''Dioda LED''' – dioda świecąca (ang. ''Light Emitting Diode''). | |||
*'''Efekt elektro-absorpcyjny''' – zmiana współczynnika absorpcji ośrodka pod wpływem pola elektrycznego. | |||
*'''Efekt elektro-optyczny''' – zmiana współczynnika załamania ośrodka pod wpływem pola elektrycznego. | |||
*'''Emisja spontaniczna''' – zjawisko spontanicznego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem różnicy energii między stanami przez wypromieniowanie fotonu. | |||
*'''Emisja wymuszona''' – zjawisko rezonansowego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem energii przez wypromieniowanie fotonu. Przejście to wymuszone jest przez oddziałujący z atomem foton. Wypromieniowany foton jest identyczny z fotonem wymuszającym. | |||
*'''Inwersja obsadzeń''' – rozkład obsadzeń poziomów energetycznych przez atomy ośrodka, w którym to rozkładzie więcej atomów przyjmuje wyższy stan energetyczny. | |||
*'''Laser DBR''' – laser z selektywnymi zwierciadłami Bragga (ang. ''Distributed Bragg Reflector'') | |||
*'''Laser DFB''' – laser z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym (ang. ''Distributed Feed-Back'') | |||
*'''Laser FP ''' – laser z rezonatorem Fabry-Perot. | |||
*'''Migotanie lasera''' – efekt zmiany długości fali generowanej przez laser przy zmianie prądu płynącego przez strukturę (ang. ''chirping''). | |||
*'''Modulacja bezpośrednia''' – modulacja mocy optycznej generowanej przez laser realizowana przez zmianę prądu lasera. | |||
*'''Modulacja zewnętrzna''' – modulacja mocy optycznje realizowana przez zmianę tłumienia elementu umieszczonego za laserem. | |||
*'''Napięcie włączenia modulatora M-Z''' – <math>V_{ON}\,</math> – napięcie pierwszego maksimum na charakterystyce transmisji modulatora M-Z. Przy równych ramionach wynosi ono zwykle <math>0\,V\,</math>. | |||
*'''Napięcie przełączania modulatora M-Z''' – <math>V_{\pi}\,</math> - różnica napięć między maksimum a minimum transmisji modulatora M-Z. W łączach cyfrowych określa różnicę napięć pomiędzy stanami logicznymi. | |||
*'''Prąd progowy''' – minimalna wartość prądu przy której zachodzi akcja laserowa. | |||
*'''Rezonator Fabry-Perot''' – układ równoległych zwierciadeł po obu stronach ośrodka aktywnego w laserze. | |||
*'''Straty modulatora''' – L – straty liczone między złączem wyjściowym, a złączem wejściowym modulatora. Modulatory mają zwykle wejście i wyjście wykonane w postaci światłowodów włóknistych. Jednocześnie sam przyrząd może być wykonany w technologii planarnej (np. modulator M-Z). Sprzężenia: na wejściu ze światłowodu włóknistego do planarnego i na wyjściu ze światłowodu planarnego do włóknistego są główną przyczyną strat modulatora M-Z. Straty modulatorów M-Z wynoszą zwykle 5÷6 dB. | |||
*'''Warunki akcji laserowej''' – warunek fazowy i warunek amplitudowy akcji laserowej. | |||
*'''Współczynnik exstynkcji''' – <math>R_{EXT}\,</math> – jest to stosunek maksymalnej do minimalnej transmisji mocy przez modulator. | |||
<hr width="100%"> | |||
= Bibliografia = | |||
#J. Siuzdak. Wstęp do współczesnej telekomunikacji światłowodowej, WKŁ, Warszawa, 1999. | |||
#K. Holejko. Optyczne sieci telekomunikacyjne, Polsoft, Poznań, 1998. | |||
#M. Szustakowski. Elementy techniki światłowodowej, WNT, Warszawa, 1992. | |||
#K. Perlicki. Pomiary w optycznych systemach telekomunikacyjnych, WKŁ, Warszawa, 2002. | |||
#A. Majewski. Podstawy techniki światłowodowej, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 1997. | |||
<hr width="100%"> | <hr width="100%"> |
Aktualna wersja na dzień 08:43, 18 wrz 2006
Wykład
![]() |
![]() |
Pytania sprawdzające
(jeśli potrafisz na nie odpowiedzieć, to znaczy, że opanowałeś/aś materiał wykładu)
- Wyjaśnij pojęcia: absorpcji promieniowania, emisji spontanicznej, emisji wymuszonej.
- Wyjaśnij pojęcie inwersji obsadzeń.
- Budowa i zasada działania diody LED.
- Omów warunki zachodzenia akcji laserowej.
- Budowa i zasada działania lasera z rezonatorem Fabry-Perot.
- Budowa i zasada działania laserów DBR i DFB.
- Omów zjawisko migotania lasera.
- Podaj i omów rodzaje modulacji.
- Budowa i zasada działania modulatora Mach-Zender'a.
- Budowa i zasada działania modulatora elektro-absorpcyjnego.
Słownik
- 3dB pasmo pracy – – parametr określający częstotliwość, dla jakiej współczynnik modulacji spada o 3dB.
- Absorpcja promieniowania - zjawisko pochłaniania fotonów przez ośrodek wiążące się z przekazaniem niesionej przez fotony energii atomom ośrodka.
- Dioda LED – dioda świecąca (ang. Light Emitting Diode).
- Efekt elektro-absorpcyjny – zmiana współczynnika absorpcji ośrodka pod wpływem pola elektrycznego.
- Efekt elektro-optyczny – zmiana współczynnika załamania ośrodka pod wpływem pola elektrycznego.
- Emisja spontaniczna – zjawisko spontanicznego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem różnicy energii między stanami przez wypromieniowanie fotonu.
- Emisja wymuszona – zjawisko rezonansowego przejścia atomu ze stanu pobudzonego do stanu podstawowego z oddaniem energii przez wypromieniowanie fotonu. Przejście to wymuszone jest przez oddziałujący z atomem foton. Wypromieniowany foton jest identyczny z fotonem wymuszającym.
- Inwersja obsadzeń – rozkład obsadzeń poziomów energetycznych przez atomy ośrodka, w którym to rozkładzie więcej atomów przyjmuje wyższy stan energetyczny.
- Laser DBR – laser z selektywnymi zwierciadłami Bragga (ang. Distributed Bragg Reflector)
- Laser DFB – laser z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym (ang. Distributed Feed-Back)
- Laser FP – laser z rezonatorem Fabry-Perot.
- Migotanie lasera – efekt zmiany długości fali generowanej przez laser przy zmianie prądu płynącego przez strukturę (ang. chirping).
- Modulacja bezpośrednia – modulacja mocy optycznej generowanej przez laser realizowana przez zmianę prądu lasera.
- Modulacja zewnętrzna – modulacja mocy optycznje realizowana przez zmianę tłumienia elementu umieszczonego za laserem.
- Napięcie włączenia modulatora M-Z – – napięcie pierwszego maksimum na charakterystyce transmisji modulatora M-Z. Przy równych ramionach wynosi ono zwykle .
- Napięcie przełączania modulatora M-Z – - różnica napięć między maksimum a minimum transmisji modulatora M-Z. W łączach cyfrowych określa różnicę napięć pomiędzy stanami logicznymi.
- Prąd progowy – minimalna wartość prądu przy której zachodzi akcja laserowa.
- Rezonator Fabry-Perot – układ równoległych zwierciadeł po obu stronach ośrodka aktywnego w laserze.
- Straty modulatora – L – straty liczone między złączem wyjściowym, a złączem wejściowym modulatora. Modulatory mają zwykle wejście i wyjście wykonane w postaci światłowodów włóknistych. Jednocześnie sam przyrząd może być wykonany w technologii planarnej (np. modulator M-Z). Sprzężenia: na wejściu ze światłowodu włóknistego do planarnego i na wyjściu ze światłowodu planarnego do włóknistego są główną przyczyną strat modulatora M-Z. Straty modulatorów M-Z wynoszą zwykle 5÷6 dB.
- Warunki akcji laserowej – warunek fazowy i warunek amplitudowy akcji laserowej.
- Współczynnik exstynkcji – – jest to stosunek maksymalnej do minimalnej transmisji mocy przez modulator.
Bibliografia
- J. Siuzdak. Wstęp do współczesnej telekomunikacji światłowodowej, WKŁ, Warszawa, 1999.
- K. Holejko. Optyczne sieci telekomunikacyjne, Polsoft, Poznań, 1998.
- M. Szustakowski. Elementy techniki światłowodowej, WNT, Warszawa, 1992.
- K. Perlicki. Pomiary w optycznych systemach telekomunikacyjnych, WKŁ, Warszawa, 2002.
- A. Majewski. Podstawy techniki światłowodowej, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 1997.